大家给个意见我的想法可行吗？
14558
%7B%22isLastPage%22%3Atrue%2C%22notes%22%3A%5B%5D%2C%22pid%22%3A%22t14558%22%2C%22tid%22%3A%2214558%22%2C%22mainForumsId%22%3A%5B%22367%22%5D%2C%22categoriesId%22%3A%5B%220%22%5D%2C%22tcId%22%3A%5B%5D%7D
%7B%22isEditMode%22%3Afalse%7D
[原创]谁说可控硅不容易关断！v型开关的分析与改进
我们平时作实验时采用三种控制方案。
1、 可控硅
2、 IGBT
3、 大功率三极管
IGBT虽然能快速关断但是小体积封装内其耐压、电流不会很高，而且过载能力弱。
大功率三极管我就不做过多的解释了，相信大家都明白，它根本就不适合。
那么只有可控硅了，但是可控硅自身无法完成硬关断，貌似没有办法了！
其实不然，前些天偶然看到了一个电路，叫做双可控硅电路，（也叫V型开关）它把可控硅的关断时间降低到了1.2-1.4ms。而且是硬关断。
电路原理：在主电容放电过程中，主可控硅会被施加一个反向电压，减低了主可控硅两端电压和电流，使可控硅截止，达到快速关断的目的。
但是我个人感觉电路中的副可控硅和电容都是多余的，为什么不能直接在加速线圈上再加上一个绕组，用它产生的电压来使可控硅截止。没必要用外围的附加电路！
1、 可控硅
2、 IGBT
3、 大功率三极管
IGBT虽然能快速关断但是小体积封装内其耐压、电流不会很高，而且过载能力弱。
大功率三极管我就不做过多的解释了，相信大家都明白，它根本就不适合。
那么只有可控硅了，但是可控硅自身无法完成硬关断，貌似没有办法了！
其实不然，前些天偶然看到了一个电路，叫做双可控硅电路，（也叫V型开关）它把可控硅的关断时间降低到了1.2-1.4ms。而且是硬关断。
电路原理：在主电容放电过程中，主可控硅会被施加一个反向电压，减低了主可控硅两端电压和电流，使可控硅截止，达到快速关断的目的。
但是我个人感觉电路中的副可控硅和电容都是多余的，为什么不能直接在加速线圈上再加上一个绕组，用它产生的电压来使可控硅截止。没必要用外围的附加电路！
楼上的，你认为理想的是多少，你给个设计.
好像没见过你的试验资料。
好像没见过你的试验资料。
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
引用第9楼hongrh于2009-07-16 17:17发表的 :
你好,发个可控硅硬关断电路吧,谢谢
论坛里有关于v型开关的！你先自己找！我在做新的实验
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
引用第11楼amen1345于2009-07-17 22:23发表的 :
看到你们的争论,我想到个问题,就是搞个时间控制器预先加载,当子弹到线圈中点时刚好放完这一级电,然后立马启动下一级如此类推,那不是更好??我这想法不会很傻吧?!
你的想法很好，但是几乎每次发射都是在不完全相同条件，所以开启时间和关断时间无法做出随机调整！
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
引用第13楼stitch于2009-07-18 15:01发表的 :
[s:247]没看明白！
又是“原创”又是“前些天偶然看到了一个电路”………………
是不是想扣分？
我可以很明确的说不在扣分范畴，因为可控硅的硬关断方式无法改变，这不能算是抄袭吧！
原来的原理是需要另外一组电容提供反向电压，但是经过我的创新，已经无需两个，更不需要另外的一组电容，简化了电路，提高了使用效率，增强了整个电路的稳定性。
难道这样也要扣分吗？
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
其实V型开关仅仅是像形的叫法，实际上可控硅可以自行关断。看到这里脸上一定有个问号！你没有看错，确实可以关断，但是要求电流小于25MA，实际上每个可控硅都不一样，自关断的最高电流也不同。那么看到这里大家应该想到什么能关断可控硅
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。