引用第9楼hongrh于2009-07-16 17:17发表的  :
你好,发个可控硅硬关断电路吧,谢谢

引用第11楼amen1345于2009-07-17 22:23发表的  :
看到你们的争论,我想到个问题,就是搞个时间控制器预先加载,当子弹到线圈中点时刚好放完这一级电,然后立马启动下一级如此类推,那不是更好??我这想法不会很傻吧?!

引用楼主狩猎者于2009-04-21 12:57发表的 [原创]谁说可控硅不容易关断！v型开关的分析与改进 :
我们平时作实验时采用三种控制方案。
1、    可控硅
2、    IGBT
3、    大功率三极管
IGBT虽然能快速关断但是小体积封装内其耐压、电流不会很高，而且过载能力弱。
大功率三极管我就不做过多的解释了，相信大家都明白，它根本就不适合。
那么只有可控硅了，但是可控硅自身无法完成硬关断，貌似没有办法了！
其实不然，前些天偶然看到了一个电路，叫做双可控硅电路，（也叫V型开关）它把可控硅的关断时间降低到了1.2-1.4ms。而且是硬关断。
电路原理：在主电容放电过程中，主可控硅会被施加一个反向电压，减低了主可控硅两端电压和电流，使可控硅截止，达到快速关断的目的。
但是我个人感觉电路中的副可控硅和电容都是多余的，为什么不能直接在加速线圈上再加上一个绕组，用它产生的电压来使可控硅截止。没必要用外围的附加电路！

引用第13楼stitch于2009-07-18 15:01发表的  :

[s:247]没看明白！
又是“原创”又是“前些天偶然看到了一个电路”………………

潜伏者 发表于 2013-9-30 22:47
其实V型开关仅仅是像形的叫法，实际上可控硅可以自行关断。看到这里脸上一定有个问号！你没有看错，确实可 ...

虎哥 发表于 2009-4-21 16:58
怎么没人提到过GTO呢?