死法四有点奇葩了，只要线圈不太小，电容不太大，一般都没事，资料整理的很好
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可控硅之死-烧龟炸龟击穿龟 本人新手欢迎补充
可控硅之死-烧龟炸龟击穿龟，本人新手，对可控硅有些初步认识，做些简单总结。
可控硅相对价格低廉和过流能力强，所以相当部分的坛友选择它作为开关。由于应用在近乎短路放电的极端条件下，也有不少可控硅变成了烧龟、炸龟、击穿龟。经常导致可控硅损坏的原因有：电压、电流、dv／dt、di／dt、触发信号不良等
可控硅之死1——反向击穿
反向击穿，一般情况下是保护措施失效，例如续流二极管失效、虚焊等，瞬间反向高压，超出承受反向电压的极限，产生击穿。
可控硅之死2——电流过载
此种死法，吧唧一下，散热器一片黑，一般出现在像我这样的新手手上，一般是错误估算电流没考虑空载导致，也有可能是电感出现磁通饱和（磁阻式容易出现），瞬间产生过大的电流。这种情况通过计算和模拟，调整电容容量和线圈电感的搭配，选用性能合适的可控硅，一般可以避免。
可控硅之死3——触发信号不良
激励不足或斜波式的触发电压,有可能造成功率可控硅处于临界导通边缘,并造成主负载电流流经触发回路引起的损坏。 设计电路的时候，不光要考虑主电路的各种参数，也要考虑触发信号的稳定和抗干扰能力，通过设计合理的触发电路、避免干扰和选择可靠的元器件来避免这种情况发生。
可控硅之死4——电流上升速率di／dt过高
感应加速，要求有相当高的脉冲电压、电流上升速率，以达到较为理想效果。然而可控硅本身的开通机理，给在大功率陡脉冲方面应用造成一个很大的麻烦。可控硅的导通过程是这样的，首先是靠近阴极的局部位置发生导通，然后这个导通区域以0.005-0.1mm/微秒的速度横向扩张，经过几微秒甚至几十微秒才扩张完毕完成完全的导通，由于导通区扩张需要时间，所以刚开始导通的时候，导通的面积是很小的，电流集中在这个导通区域里面通过。如果在从导通到完全导通的这段时间里，通过的电流增长到一个很大的值的话，导通区还没来得及扩张，大密度的电流集中通过这个导通区，导致局部产生强烈发热，以至于控硅烧毁。所以使用晶闸管，都要注意di／dt的允许值。不同的晶闸管有不同的额定di／dt，这跟晶闸管的设计和生产工艺有关。例如良好的栅极形状设计，也能让晶闸管更适应大功率脉冲环境。
![大电流晶闸管栅极.png]()
以上，
来到科创三年多一点了吧，现在正式开始筹划第一个电磁加速作品，材料慢慢攒钱购买，花钱肯定得不少，呵呵。第一次发表整理的知识。论坛里的大神高手老手们多指点下哦！
可控硅相对价格低廉和过流能力强，所以相当部分的坛友选择它作为开关。由于应用在近乎短路放电的极端条件下，也有不少可控硅变成了烧龟、炸龟、击穿龟。经常导致可控硅损坏的原因有：电压、电流、dv／dt、di／dt、触发信号不良等
可控硅之死1——反向击穿
反向击穿，一般情况下是保护措施失效，例如续流二极管失效、虚焊等，瞬间反向高压，超出承受反向电压的极限，产生击穿。
可控硅之死2——电流过载
此种死法，吧唧一下，散热器一片黑，一般出现在像我这样的新手手上，一般是错误估算电流没考虑空载导致，也有可能是电感出现磁通饱和（磁阻式容易出现），瞬间产生过大的电流。这种情况通过计算和模拟，调整电容容量和线圈电感的搭配，选用性能合适的可控硅，一般可以避免。
可控硅之死3——触发信号不良
激励不足或斜波式的触发电压,有可能造成功率可控硅处于临界导通边缘,并造成主负载电流流经触发回路引起的损坏。 设计电路的时候，不光要考虑主电路的各种参数，也要考虑触发信号的稳定和抗干扰能力，通过设计合理的触发电路、避免干扰和选择可靠的元器件来避免这种情况发生。
可控硅之死4——电流上升速率di／dt过高
感应加速，要求有相当高的脉冲电压、电流上升速率，以达到较为理想效果。然而可控硅本身的开通机理，给在大功率陡脉冲方面应用造成一个很大的麻烦。可控硅的导通过程是这样的，首先是靠近阴极的局部位置发生导通，然后这个导通区域以0.005-0.1mm/微秒的速度横向扩张，经过几微秒甚至几十微秒才扩张完毕完成完全的导通，由于导通区扩张需要时间，所以刚开始导通的时候，导通的面积是很小的，电流集中在这个导通区域里面通过。如果在从导通到完全导通的这段时间里，通过的电流增长到一个很大的值的话，导通区还没来得及扩张，大密度的电流集中通过这个导通区，导致局部产生强烈发热，以至于控硅烧毁。所以使用晶闸管，都要注意di／dt的允许值。不同的晶闸管有不同的额定di／dt，这跟晶闸管的设计和生产工艺有关。例如良好的栅极形状设计，也能让晶闸管更适应大功率脉冲环境。
以上，
来到科创三年多一点了吧，现在正式开始筹划第一个电磁加速作品，材料慢慢攒钱购买，花钱肯定得不少，呵呵。第一次发表整理的知识。论坛里的大神高手老手们多指点下哦！
引用 go炮君:呵呵 新手一切皆有可能[s:;P]
死法四有点奇葩了，只要线圈不太小，电容不太大，一般都没事，资料整理的很好
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引用 go炮君:表示不理解为毛用可控硅
死法四有点奇葩了，只要线圈不太小，电容不太大，一般都没事，资料整理的很好
我记得可控硅di/dt耐受并不高
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引用 1176764177:[s::lol]不用可控硅用什么，现阶段也只有用可控硅了，如70TPS16的参数是最小150A/us，1500A/10us.可控硅电流上升速度并不成为瓶颈。
表示不理解为毛用可控硅
我记得可控硅di/dt耐受并不高
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引用 1176764177:我觉得可控硅便宜，过载能力比igbt强，缺点就是频率低，电流上升速度受限，70TPS16 耐受 di/dt为——150A/微秒 试手用还是可以的，要是追求更快更高更强的话，可控硅就不能直接用了。下面是参数表
表示不理解为毛用可控硅
我记得可控硅di/dt耐受并不高
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引用 迪纳米斯:好像主要是电压太高不然几百A的mos很容易买到
我觉得可控硅便宜，过载能力比igbt强，缺点就是频率低，电流上升速度受限，70TPS16 耐受 di/dt为——150A/微秒 试手用还是可以的，要是追求更快更高更强的话，可控硅就不能直接用了。下面是参数表
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引用 1176764177:额 看需要吧，目前不打算做多级的
好像主要是电压太高不然几百A的mos很容易买到
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引用 1176764177:mos也有mos的优点，也有其缺点，速度是长处，压降、电流是短板，直接用来做电容至线圈之间的开关在大电流面前还是吃力的。其实个人认为，直接电容---负载线圈这样直接的回路，对开关器件要求非常高。做轨道的更加不能用半导体开关了。上万安培的管子是有，难买到。就是能买到也是价格过万了
好像主要是电压太高不然几百A的mos很容易买到
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引用 山水云间:单级加速勉强可以，但是，空气开关在电炮里多玩几次就容易坏的。
我看到有人用空气开关，空气开关能代替可控硅不？
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楼主整理得真的很好！赞一个！期待楼主的多级加速器，我弄了一个十级的，结果才整穿200多页paper.....效率低了，有点小失望。。。[s:25]
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引用 山水云间:市电空气开关不好说，没试过，但是得看情况，如果电流不大还是可以用的。
我看到有人用空气开关，空气开关能代替可控硅不？
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引用 浩瀚星夜WXH:呵呵 先做好单级的先 一步步来 并不想重复已有的方向，所以一切要从最基础的出发，电路方面没什么实际经验，所以从各种元件一项一项理清思路，了解性能，ZVS目前水平还是不足的，打算购置成品。主要精力还是花在设计功率脉冲和电磁设计上面。通过磁压缩脉冲和设计新的加速原理和结构做一次创新尝试。
楼主整理得真的很好！赞一个！期待楼主的多级加速器，我弄了一个十级的，结果才整穿200多页paper.....效率低了，有点小失望。。。
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做电炮可控硅的耐流不是问题，几百a的肯花钱就行，重点是那个线圈上的快恢复一定要焊牢，我就因为一个快恢复脱焊3个硅因为反向电流太大全坏了
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引用 maizx5:呵呵 保护措施失效 快速恢复二极管一旦脱焊 线圈电流瞬间减小，由此产生一个跟原来电流方向相同的感生电动势，以阻碍电流下降，由于电流变化率很高，所以感生电压也很高，超压了可控硅就完蛋了。所以功率线路，无论哪个环节都要细心谨慎，一个小小的细节问题也许会导致很大的灾难。元器件，导线，还是连接部分，都要细心检查。链接部分的牢固可靠也非常重要的。
做电炮可控硅的耐流不是问题，几百a的肯花钱就行，重点是那个线圈上的快恢复一定要焊牢，我就因为一个快恢复脱焊3个硅因为反向电流太大全坏了
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引用 maizx5:线圈瞬间开路产生的电压很高的
做电炮可控硅的耐流不是问题，几百a的肯花钱就行，重点是那个线圈上的快恢复一定要焊牢，我就因为一个快恢复脱焊3个硅因为反向电流太大全坏了
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引用 ssungirl:这只是理论数据，我都烧了四个70tps16[s::L]，都是因为电流上升过快，估计50a/us的时候就危险了，最后发现70TPS16不适合高频，另外说一句我没有买山寨货！
不用可控硅用什么，现阶段也只有用可控硅了，如70TPS16的参数是最小150A/us，1500A/10us.可控硅电流上升速度并不成为瓶颈。
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引用 ApocalypseTANK:[s::L],要做多块的枪啊，按100m/s计算，2cm的线圈，加速段半个线圈算1cm，然后电流上升阶段算0.25CM，那么通过这0.25CM的时间将大于50us，怎么会超过50A/us的呢？
这只是理论数据，我都烧了四个70tps16，都是因为电流上升过快，估计50a/us的时候就危险了，最后发现70TPS16不适合高频，另外说一句我没有买山寨货！
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引用 ApocalypseTANK:电路分析下，也许不是di/dt的原因咧？超出额定电流的时间是有限的。如果放电时间长，电流持续时间长也会爆管
这只是理论数据，我都烧了四个70tps16，都是因为电流上升过快，估计50a/us的时候就危险了，最后发现70TPS16不适合高频，另外说一句我没有买山寨货！
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引用 ApocalypseTANK:另外多次过载也会影响零件寿命，有时候用一两次没问题，多用几次就爆了。
这只是理论数据，我都烧了四个70tps16，都是因为电流上升过快，估计50a/us的时候就危险了，最后发现70TPS16不适合高频，另外说一句我没有买山寨货！
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