这个貌似太土豪了点，而且如果做成小型的话体积也太大了点。。
现在可关断的一般都是用IGBT吧，体积也比较小，好找。。。不过仍然是土豪专用。。
现在可关断的一般都是用IGBT吧，体积也比较小，好找。。。不过仍然是土豪专用。。
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可控硅驱动可关断——GTO 可关断可控硅（晶闸管）
话不多说了。。最近挺忙的 又要期中考，又要去比赛，又想把妹。
直接引用百度百科（有些百科还是写的挺好的）
可关断晶闸管GTO（Gate Turn-Off Thyristor）亦称门控晶闸管。其主要特点为，当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。
发展简史
前已述及，普通晶闸管（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路，不仅使设备的体积重量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频率比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。
成分结构
可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。
尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比，有公式
βoff =IATM/IGM
βoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛 的hFE参数颇有相似之处。
应用领域
下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。
1．判定GTO的电极
将万用表拨至R×1档，测量任意两脚间的电阻，仅当黑表笔接G极，红表笔接K极时，电阻呈低阻值，对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极，剩下的就是A极。
2．检查触发能力
首先将表Ⅰ的黑表笔接A极，红表笔接K极，电阻为无穷大；然后用黑表笔尖也同时接触G极，加上正向触发信号，表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通；最后脱开G极，只要GTO维持通态，就说明被测管具有触发能力。
3．检查关断能力
现采用双表法检查GTO的关断能力，如图2(b)所示，表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档，红表笔接G极，黑表笔接K极，施以负向触发信号，如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置，证明GTO具有关断能力。
4．估测关断增益βoff
进行到第3步时，先不接入表Ⅱ，记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1；再接上表Ⅱ强迫GTO关断，记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。最后根据读取电流法按下式估算关断增益：
βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/ K2n2
式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数；
K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。
βoff≈10×n1/ n2
此式的优点是，不需要具体计算IAT、IG之值，只要读出二者所对应的表针正向偏转格数，即可迅速估测关断增益值。
注意事项：
（1）在检查大功率GTO器件时，建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′，以提高测试电压和测试电流，使GTO可靠地导通。
（2）要准确测量GTO的关断增益βoff，必须有专用测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同，测量结果仅供参考，或作为相对比较的依据。
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感觉可控硅适合各种制作多级磁阻线圈炮的土豪使用
根据价格和参数范围来看，目前几乎都是工业和电力上的应用。价格比较难接受，而且参数余量也比较大。如果制作大功率的话比较适合。
虽然这东西对于我可有可木有，不过也要上传点文献让大家了解一下。
同时也上传一本和现在大多数做磁阻线圈炮都不注意的细节有关的文献。
滚床去了。。累死了
直接引用百度百科（有些百科还是写的挺好的）
可关断晶闸管GTO（Gate Turn-Off Thyristor）亦称门控晶闸管。其主要特点为，当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。
发展简史
前已述及，普通晶闸管（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路，不仅使设备的体积重量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频率比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。
成分结构
可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。
尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比，有公式
βoff =IATM/IGM
βoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛 的hFE参数颇有相似之处。
应用领域
下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。
1．判定GTO的电极
将万用表拨至R×1档，测量任意两脚间的电阻，仅当黑表笔接G极，红表笔接K极时，电阻呈低阻值，对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极，剩下的就是A极。
2．检查触发能力
首先将表Ⅰ的黑表笔接A极，红表笔接K极，电阻为无穷大；然后用黑表笔尖也同时接触G极，加上正向触发信号，表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通；最后脱开G极，只要GTO维持通态，就说明被测管具有触发能力。
3．检查关断能力
现采用双表法检查GTO的关断能力，如图2(b)所示，表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档，红表笔接G极，黑表笔接K极，施以负向触发信号，如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置，证明GTO具有关断能力。
4．估测关断增益βoff
进行到第3步时，先不接入表Ⅱ，记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1；再接上表Ⅱ强迫GTO关断，记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。最后根据读取电流法按下式估算关断增益：
βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/ K2n2
式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数；
K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。
βoff≈10×n1/ n2
此式的优点是，不需要具体计算IAT、IG之值，只要读出二者所对应的表针正向偏转格数，即可迅速估测关断增益值。
注意事项：
（1）在检查大功率GTO器件时，建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′，以提高测试电压和测试电流，使GTO可靠地导通。
（2）要准确测量GTO的关断增益βoff，必须有专用测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同，测量结果仅供参考，或作为相对比较的依据。
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感觉可控硅适合各种制作多级磁阻线圈炮的土豪使用
根据价格和参数范围来看，目前几乎都是工业和电力上的应用。价格比较难接受，而且参数余量也比较大。如果制作大功率的话比较适合。
虽然这东西对于我可有可木有，不过也要上传点文献让大家了解一下。
同时也上传一本和现在大多数做磁阻线圈炮都不注意的细节有关的文献。
滚床去了。。累死了
baiwenglong 发表于 2014-4-2 22:20
这个貌似太土豪了点，而且如果做成小型的话体积也太大了点。。
现在可关断的一般都是用IGBT吧，体积也比较 ...
如果同等价钱 可关断可控硅的参数和驱动方式比IGBT方便多了
引用
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本帖最后由 samhrc 于 2014-4-2 22:43 编辑
同等价钱，普通平板硅比可关断硅的功率大三倍以上。譬如中频电炉、电解电镀装置之类的大功率设备还是爱用普通平板硅的。关断就是加个电容电抗么，对整体设备来说换向电路增加的成本很少，而且后续维修成本也低。
badboy-fly 发表于 2014-4-2 22:24
如果同等价钱 可关断可控硅的参数和驱动方式比IGBT方便多了
同等价钱，普通平板硅比可关断硅的功率大三倍以上。譬如中频电炉、电解电镀装置之类的大功率设备还是爱用普通平板硅的。关断就是加个电容电抗么，对整体设备来说换向电路增加的成本很少，而且后续维修成本也低。
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谢曾哥分享~
需要大功率可控硅的前辈们找陆老师噢，他搞中频炉的，QQ：2478021084
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samhrc 发表于 2014-4-2 22:40
同等价钱，普通平板硅比可关断硅的功率大三倍以上。譬如中频电炉、电解电镀装置之类的大功率设备还是 ...
磁阻线圈炮工作时候线圈可分为加速段、死区、减速区，到达死区的时候加速力为0如果不及时关断，弹丸就会运动到减速区。这样就会影响了效率
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GTO需要很大的开启和关断功率，驱动电路就复杂了，其实IGBT就是mos管和GTO的杂交管!
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