昨天潜伏者在帖子里提到发射后电容余压的问题，对自己有所触动，连夜把触发方式改成了单片机触发，通过光耦隔离，触发可控硅，进行了9次实验，单电容，充电430V，1000UF，数据如下：
弹丸速度（米/秒）   电容余压（V）
29.41                                  ----
31.24                                  ----
31.248                                33
27.02                                  17
34.48                                  28
26.31                                 28
29.41                                 27
27.02                                 27
25.63                                 23

可见速度比之前有大幅提高，前面2次忘了记录电容余压，后面几次随着线圈温度的升高，速度下降很厉害。当然不排除误差的因素，等线圈冷却后再做几组实验数据进行分析。