线圈炮早到头了。。就算有好的开关管也做不出什么好结果。因为后面的加速度级能量用不了这么多所以级数会越来越多。效率极低。要加到超音速那管子会非常长[s:225]
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大家放弃无畏的抵抗，不要再烧钱了。
通过大量的实验和模拟，发现现有的材料并不适合做有开关管参与的多级加速，浪通电流不可能再小体积内满足。开关速度即使是igbt极限速度仅仅是160us。但是经过模拟，破音速后开关速度已经要求低于120us，更何况这只是在单级陆续加速中，如果想在紧密型连续加速中应用，至少开关速度要达到10us。所以目前想破音只有那么几个方案。同轴线圈加速（属于感应加速所以不需要考虑关断），自控式磁阻加速，轨道式加速，等仅有的几种。
目前实验电压已经提高至12kv，在磁阻式加速中也能获得很好的效果，当电容组容量在50uf时，线圈0.93×35×7时最高速度已经破音，（模拟值）所以希望大家不要在低压情况下搞多级，真是有点事倍功半的意思，
目前实验电压已经提高至12kv，在磁阻式加速中也能获得很好的效果，当电容组容量在50uf时，线圈0.93×35×7时最高速度已经破音，（模拟值）所以希望大家不要在低压情况下搞多级，真是有点事倍功半的意思，
能不能教授一下模拟的方法，或者是传统的方法手工计算？12KV很高了，这样高压的开关器件比较困难，可不可以折中一下。希望线圈长度、级数、电压和器件之间做一个权衡，制定一个相对易行的方案。
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我的模拟结果似乎不太一样
先上图
![2.jpg]()
![1.jpg]()
可以看到，电流达到峰值时时间为80μS
90μS时电压已经小于0，此时SCR必定被关断
先上图
可以看到，电流达到峰值时时间为80μS
90μS时电压已经小于0，此时SCR必定被关断
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先不说你的参数是否合适，你把子弹仿真的界面也打开看看！
原始数据不改的情况下只有不到5米每秒，效率只有0.12%。这样的加速还不如用手扔出去。
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我发这个只是想表达以下几点
1、其实电流达到峰值时时间并不太长，仅为80μS
2、由二极管带来的电流下降时间较长，下降速度慢，希望得到解决方案
1、其实电流达到峰值时时间并不太长，仅为80μS
2、由二极管带来的电流下降时间较长，下降速度慢，希望得到解决方案
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补充以下，在子弹仿真中，把子弹长度设为55mm的时候速度有17.91m/s
似乎是不改其他条件时的最大值
似乎是不改其他条件时的最大值
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我的模拟值12000v 40uf 115圈五层 1.21的线 外径10mm 内经7.5mm 但中12克 均长30mm。这时从170us关断会有370米每秒的初速，但是下一级的时间只有70us，以后会越来越短，留给加速的时间越来越少，加速也越来越困难
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回8L
我根据你给出的数据，在80μS时电压已经为负数，如图
![4.jpg]()
（SCR+二极管）
之后的电流全部不通过SCR，而是通过反向并联的二极管，请问如何关断
能不能提前通电，这样可以让子弹到达时电流已经达到较高值
这样之前浪费的能量也不多，但可以节省不少时间，也许能赶在所给时间内
我根据你给出的数据，在80μS时电压已经为负数，如图
（SCR+二极管） 之后的电流全部不通过SCR，而是通过反向并联的二极管，请问如何关断
能不能提前通电，这样可以让子弹到达时电流已经达到较高值
这样之前浪费的能量也不多，但可以节省不少时间，也许能赶在所给时间内
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引用第8楼狩猎者于2011-08-17 21:03发表的 :
我的模拟值12000v 40uf 115圈五层 1.21的线 外径10mm 内经7.5mm 但中12克 均长30mm。这时从170us关断会有370米每秒的初速，但是下一级的时间只有70us，以后会越来越短，留给加速的时间越来越少，加速也越来越困难
这个也是我的观点，我已经在头脑中模拟过了[s:274]。第三级过后的加速在理由的条件下也不怎么样了。个人认为最多就做三级加速
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别说小体积了。大功率IGBT做开关管速度也是个问题
而且你别忘了检测和MCU控制的速度也是有瓶颈的。
以我目前的制作结果我早已不用IGBT来做，只要仔细计算过电流上升速度，使用合适的电压，线径，电感量和电容量，再通过反复实验来尽可能提高加速能使SCR的作用发挥到极限。目前试下来8级加速仍然是有效的，因设备缘故未测速
而且你别忘了检测和MCU控制的速度也是有瓶颈的。
以我目前的制作结果我早已不用IGBT来做，只要仔细计算过电流上升速度，使用合适的电压，线径，电感量和电容量，再通过反复实验来尽可能提高加速能使SCR的作用发挥到极限。目前试下来8级加速仍然是有效的，因设备缘故未测速
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大家这么相信这个计算器？
代码没有开源，他是用什么公式算出来的都不知道，万一他是错的呢？
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我相信它是因为它的模拟结果和实验结果相差不大，除去实验中的误差，所以模拟量应该是正确的。但是有一些极限条件未经验证。还有就是说磁场强度如果达到50t，此时磁阻情况下单玩早已饱和，实际上加速度不会因为蛋玩的饱和而下降。
比如说两块磁铁一个是强磁，一个是弱磁，在同样距离两块弱磁。它们之间的引力是什么样的呢？
至于八级以后加速线圈仍然有效这个结果我同意，但是末速度和加速距离的比值是否合适呢？换句话说慢加速效率高一些，长度很长，结构复杂，想要达到实用性确实不易（便携）
比如说两块磁铁一个是强磁，一个是弱磁，在同样距离两块弱磁。它们之间的引力是什么样的呢？
至于八级以后加速线圈仍然有效这个结果我同意，但是末速度和加速距离的比值是否合适呢？换句话说慢加速效率高一些，长度很长，结构复杂，想要达到实用性确实不易（便携）
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IGBT无疑是做关断电磁枪的唯一选择器件
除了IGBT 其他任何已知开关器件无法胜任
而且SCR照样能做出好的效果 只要能导通
放电时间就是四分之一个LC周期 没什么好多说的
如果把弹丸在线圈里加速的时间确定 就能估算出LC的搭配
所以我不认同你所否认的低压多级加速
开关元件并不是限制电磁枪发展的障碍
只要不做关断 照样能使用
毫不夸张的说 如果用时序导通控制方式
大容量继电器照样能做多级加速 因为继电器的动作时间和延时都是一定的
你所说的开关时间都不是问题
如果要让能量更快的释放 减少线圈匝数即可
没有必要非要用高压 何况12KV的电压已经不能轻易有效控制
而制约电磁枪发展的因素仅仅是弹丸的磁饱和系数
和线圈在空心和弹丸在线圈中心时的电感量差来决定
因为这些是制约单级的决定因素
狩猎者版主可以参见国外爱好者做的多级加速电磁枪
已经能过百米每秒的速度了
而且可以到HVwiki上面search一下coilgun
相信对你有很大的帮助[s:274]
除了IGBT 其他任何已知开关器件无法胜任
而且SCR照样能做出好的效果 只要能导通
放电时间就是四分之一个LC周期 没什么好多说的
如果把弹丸在线圈里加速的时间确定 就能估算出LC的搭配
所以我不认同你所否认的低压多级加速
开关元件并不是限制电磁枪发展的障碍
只要不做关断 照样能使用
毫不夸张的说 如果用时序导通控制方式
大容量继电器照样能做多级加速 因为继电器的动作时间和延时都是一定的
你所说的开关时间都不是问题
如果要让能量更快的释放 减少线圈匝数即可
没有必要非要用高压 何况12KV的电压已经不能轻易有效控制
而制约电磁枪发展的因素仅仅是弹丸的磁饱和系数
和线圈在空心和弹丸在线圈中心时的电感量差来决定
因为这些是制约单级的决定因素
狩猎者版主可以参见国外爱好者做的多级加速电磁枪
已经能过百米每秒的速度了
而且可以到HVwiki上面search一下coilgun
相信对你有很大的帮助[s:274]
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我并没有否认多级加速，也没有完全否认低压，比如说在自控式线圈加速中。经过大量的实验认为，尽量的提高电压，增加绕组适当降低线径可以得到好效果。而且我提倡尽量在第一级加速中使用大部分能量，毕竟第一级的加速时间最长，以后的加速时间很短，要达到与第一级相同的效果就要几倍于第一级的功率，同理可推出第三级，第四级，等等！这个瞬时功率的累加，速度非常快！很快会达到难以想想的地步。就像在计算器中计算2×2，快速的多次重复计算
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加速时间短你也可以让加速效率高。
正如Black所说要让电流上升速度加快可以减少线圈匝数，加粗线径让电流加大，提高电压并不是唯一的方法。
第一级的确加速时间是最长的，所以我们要尽可能让多级的每一级都能接近第一级的加速效果才能让每一级都发挥出应有的作用，只要有加速而不是回拉减速，那这一级无论加速了多少就有其存在的意义。
正如Black所说要让电流上升速度加快可以减少线圈匝数，加粗线径让电流加大，提高电压并不是唯一的方法。
第一级的确加速时间是最长的，所以我们要尽可能让多级的每一级都能接近第一级的加速效果才能让每一级都发挥出应有的作用，只要有加速而不是回拉减速，那这一级无论加速了多少就有其存在的意义。
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其实印象中是这样的，磁场强度和线圈圈数、线圈形状、电压、电流。有关，但是模拟结果电容的储能相同时多圈高压的磁场强度更强，线圈储能更多。至于放电时间可以降低容量或进一步提高电压。当然线圈也不能一位的增减，降低线径。越来越发现如果一个线圈的参数和单玩的参数已经确定，那么最高效率的电压和容量的就已经确定了。
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回 17楼(black) 的帖子
求问，HVwiki是个什么东西 如果真的是破了百的话。
那我们就得关注下了
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我对楼主所提到的数据表示怀疑,IGBT管的极限速度是160us不知该怎么理解,常见的IGBT管例如FGA25N120,上升时间仅为60ns(产品数据手册可以在百度文库里搜到),坛子里常见的70TPS16这款可控硅上升时间和常见的光电传感器例如H42B6,响应时间也仅为us的个位数级别(参考百度文库里面的数据手册),其实想想微波炉就行了,人家2.4G的频率整了几千瓦的功率,就可想而知我们好好找找,响应时间小于1纳秒级别的大功率管肯定是能搞到的.只是这么快的关断时间需要注意考虑保护电路的问题.
所以我觉得从器件性能参数方面来讲并没有楼主所述的那样悲观.
所以我觉得从器件性能参数方面来讲并没有楼主所述的那样悲观.
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就以楼上说的fg25n120为例，上升时间为60us，那么关断时间呢？就算不加入传感器控制，从开启到关断160us还只能算是个理论值。我们退一步，就算它是实际值，那么波峰时间又是多长呢！这样的开关原件又能有多好的效率呢？所以呢低压是无法在短距离内达到高速的。只能尽量的提高电压，而且在后部的加速级中线圈的长度，开启时间，电压仍需要做进一步调整。
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IGBT工作在２０KHZ是没有问题的。 如果上升时间是６０US。下降时间也算６０US，那频率也就８KHZ。
你是不是对IGBT上升时间认识错了？ 其实那个上升时间时间是电感电流上升时间。减少电感圈数 电流上升可以快很多
你是不是对IGBT上升时间认识错了？ 其实那个上升时间时间是电感电流上升时间。减少电感圈数 电流上升可以快很多
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首先，如果电压和直径确定，那么线圈匝数就确定了。没有办法改变。
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回 23楼(狩 猎者) 的帖子
我写的是ns（纳秒）不是us（微秒）这两个单位差一千倍，咱们的讨论应该建立在正确理解对方意思的基础上好吧，ns级别的响应速度对应的是GHZ的频率，对电磁加速应该能很好的支持到10千米每秒这个数量级以上。否则微波炉如何用IGBT实现2.4G的微波呢。
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引用第8楼狩猎者于2011-08-17 21:03发表的 :
我的模拟值12000v 40uf 115圈五层 1.21的线 外径10mm 内经7.5mm 但中12克 均长30mm。这时从170us关断会有370米每秒的初速，但是下一级的时间只有70us，以后会越来越短，留给加速的时间越来越少，加速也越来越困难
根据这个参数，用论坛中的软件算了一下。170us的时候，只有17m/s。整个加速过程峰值速度也只有到73.5m/s。不解
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我也用这个软件计算了一组数据和大家分享一下：
我所用的数据是坛子里那个日本坦克的电炮模型，
四级加速，电容330V200uF*6，
线圈参数按照每组150匝，铜线径0.51mm，漆厚25um，支架直径6.5mm,线圈长度0.61cm，其它参数默认。
单级我取电容300uf算的，即原先的四分之一。子弹是6mm钢珠，质量0.89克
结果是速度峰值大约在30米/秒，四级加速的话速度翻倍，
和那个视频里的结果还算比较接近，
难道非逼着大家做多级吗？16级速度变四倍，64级变8倍？
谁能解释下那个坦克的每级控制是如何做的？也没见着光电啥的啊。
我所用的数据是坛子里那个日本坦克的电炮模型，
四级加速，电容330V200uF*6，
线圈参数按照每组150匝，铜线径0.51mm，漆厚25um，支架直径6.5mm,线圈长度0.61cm，其它参数默认。
单级我取电容300uf算的，即原先的四分之一。子弹是6mm钢珠，质量0.89克
结果是速度峰值大约在30米/秒，四级加速的话速度翻倍，
和那个视频里的结果还算比较接近，
难道非逼着大家做多级吗？16级速度变四倍，64级变8倍？
谁能解释下那个坦克的每级控制是如何做的？也没见着光电啥的啊。
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不知道阿莫邮购部那个进口拆机油浸电容能充到多少伏，现在又有造电炮的念头了...
我觉得一个不能忽略的问题是SCR在大电流下的压降变化，脉冲电流大的时候，SCR上的导通压降就会跑得比较高了
我记得70TPS16的电流上升率是150A/us，感觉用它来做感应式的话电流上升速度的确是不够，做磁阻式都不一定够
我觉得一个不能忽略的问题是SCR在大电流下的压降变化，脉冲电流大的时候，SCR上的导通压降就会跑得比较高了
我记得70TPS16的电流上升率是150A/us，感觉用它来做感应式的话电流上升速度的确是不够，做磁阻式都不一定够
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