igbt减小控制极的串联电阻可以加快导通关断时间，但一般都串联10欧电阻，我减小过这个电阻，可关断太快反向电压太高，烧了我7个igbt，当然，反向二极管也一并烧了。怀疑过是过流，可不关断就不会烧，关断快了才烧，我用的是25n120，100摄氏度时电流25安，脉冲耐冲击电流100安，7.5元一个，我的电路是用555控制的，关断时的负电压为4.1伏。门极串联10欧电阻时，门极电压15伏的情况下，开通60ns也就是0.06us关断170ns也就是0.17us。这不是已经到1us以下了吗？楼主的意思是什么呢？
     可控硅到不了这个关断速度，可关断慢，感应电压低，就不容易烧，怀疑这就是论坛上好多人力挺可控硅的原因，如果把igbt的关断稍微变慢（当然，比可控硅的v型开关关断还是要快的）它的耐过流能力也是挺强的，这点大家可以用15伏直流电手动触发igbt实验，不关断igbt时，它挺耐用的，一直认为就是igbt关断快，感应电压高，总是把自己烧掉，才让论坛上有人否定igbt，其实关断快是它的优点，只是我还没有找到合适的尽量发挥优点又不让它一次就烧掉的g极电阻值与触发电压 压。

谢谢楼上！我最近在琢磨理论时发现我忘记把开关管的开关频率考虑进去，现在的IGBT应用成品一般不超过80Khz。我是在想IGBT相对于场效应来讲有明显的拖尾，也就是说关断时间有一定的限制。到紧密型加速当中对开关的要求更高，所以------

我记得IGBT有普通，高速，超高速的区别的。
可能你用的不是最快的那种吧。
有关断的话保护很重要，用高速二极管反向并联线圈。

论坛有人拆过IGBT我记的说那一根很细的线。。就那细线要承受相当大的电流。。我也烧过很多25 -60A的IGBT都是在做单极的时候烧的。我是手动触发。所以我认为不关断的事。反向电压可加保护的吸收电容电阻二极管组成。。但还是不停的烧。当线圈绕到较多时就没这么容易烧了。小可控硅也是当线圈数太少时会烧的更快。这说明并不是感应电造成烧的。因为他们二者在多圈数时反而更耐用。。我更支持的是因为电流过大烧掉的。接通时那漆包线总体来说都相当于一个不太长的电线这相当于短路。电流极大那怕是小小的电容在这种低阻下电流也是很大的 [s:251]   我现在用的平板可控硅。重是重很多。但没烧过了 [s:245] 就是玩二极直接碰线也不会烧的。。。平板可控硅这方面真的很强大。。对了。可控硅不只有普通可控硅。。还有KK快速。KG高频。还有一个好像是KA这个更快。还有可关断的可控硅这种比较少淘宝也找不到。但二手拆机件有。耐压只有几百V-1000V。平板的价钱也很高 [s:94]

话说我淘宝上想定些IGBT模块。但他标20元一个1600V 300A的。。拆机件。。当我定5个时他打电话说。。最低要360元一个 [s:94] 。。我当时就说不要了。

我手头有两个西门子的，1200v400a，二手的，350元一个入手

大电流也最好看下浪涌是否也很大，有些标称的电流很大，浪涌只是高个几十A，对紧加速没什么很大意义。

引用第1楼lpcwl于2010-03-26 14:08发表的  :
     igbt减小控制极的串联电阻可以加快导通关断时间，但一般都串联10欧电阻，我减小过这个电阻，可关断太快反向电压太高，烧了我7个igbt，当然，反向二极管也一并烧了。怀疑过是过流，可不关断就不会烧，关断快了才烧，我用的是25n120，100摄氏度时电流25安，脉冲耐冲击电流100安，7.5元一个，我的电路是用555控制的，关断时的负电压为4.1伏。门极串联10欧电阻时，门极电压15伏的情况下，开通60ns也就是0.06us关断170ns也就是0.17us。这不是已经到1us以下了吗？楼主的意思是什么呢？
     可控硅到不了这个关断速度，可关断慢，感应电压低，就不容易烧，怀疑这就是论坛上好多人力挺可控硅的原因，如果把igbt的关断稍微变慢（当然，比可控硅的v型开关关断还是要快的）它的耐过流能力也是挺强的，这点大家可以用15伏直流电手动触发igbt实验，不关断igbt时，它挺耐用的，一直认为就是igbt关断快，感应电压高，总是把自己烧掉，才让论坛上有人否定igbt，其实关断快是它的优点，只是我还没有找到合适的尽量发挥优点又不让它一次就烧掉的g极电阻值与触发电压 压。

你不是在开玩笑吧
你想让电感中尚未转换为弹丸动能的势能 家在IGBT的线性区？
还不如快关断做好RCD吸收来的实际