igbt减小控制极的串联电阻可以加快导通关断时间，但一般都串联10欧电阻，我减小过这个电阻，可关断太快反向电压太高，烧了我7个igbt，当然，反向二极管也一并烧了。怀疑过是过流，可不关断就不会烧，关断快了才烧，我用的是25n120，100摄氏度时电流25安，脉冲耐冲击电流100安，7.5元一个，我的电路是用555控制的，关断时的负电压为4.1伏。门极串联10欧电阻时，门极电压15伏的情况下，开通60ns也就是0.06us关断170ns也就是0.17us。这不是已经到1us以下了吗？楼主的意思是什么呢？
     可控硅到不了这个关断速度，可关断慢，感应电压低，就不容易烧，怀疑这就是论坛上好多人力挺可控硅的原因，如果把igbt的关断稍微变慢（当然，比可控硅的v型开关关断还是要快的）它的耐过流能力也是挺强的，这点大家可以用15伏直流电手动触发igbt实验，不关断igbt时，它挺耐用的，一直认为就是igbt关断快，感应电压高，总是把自己烧掉，才让论坛上有人否定igbt，其实关断快是它的优点，只是我还没有找到合适的尽量发挥优点又不让它一次就烧掉的g极电阻值与触发电压 压。