上管驱动需要隔离模块供电 或 采用自举的方式。请问楼主采用的是哪种呢?
测试条件:发射电容电压110V,电容容量180uF,线圈仅1级,240匝,线径0.4mm,IGBT型号为IGW100N60H3,栅极驱动电压12V,光耦低压侧3.3V,高压侧12V,12V与发射电容负极,电源负极共地。
问题已解决:半桥结构的IGBT使用了低侧驱动ic,导致高侧无法正常开启。
测试波形
黄色为上管栅极电压,绿色为电容电压
黄色线条为上管栅极电压,绿色线条为下管栅极电压,上管栅极振铃现象远大于下管
PCB板顶层截图,左侧为线圈半桥高压侧,右侧为线圈半桥低压侧,中间为基于ucc27517的IGBT驱动电路,ucc27517采用反相输入控制,底部为基于光耦的隔离信号输入部分
尝试了一下半桥开关式磁阻炮,在单级发射测试时线圈高压侧IGBT的栅极产生了很严重的振铃现象,导致IGBT无法完全导通,电容电压下降速度慢,有时会烧IGBT管,怀疑是高压侧电流变化率大产生磁场导致无法正常开启。
发生振铃现象时,光耦输入输出都正常,无波动,仅在IGBT栅极产生振铃现象。
之后尝试将上管集电极与发射极短接,仅控制下管开闭,可以正常发射,而且振铃现象消失。
本人小白一枚,求教大佬指点迷津。
更新一下测试成功的自举高低侧驱动电路原理图。
另:IRS2186的延迟是低侧晚于高侧导通,如果不手动先开启低侧IGBT会导致C13自举电容没有充电无法开启高侧IGBT。
[修改于 2个月3天前 - 2024/07/06 18:59:23]
上管驱动需要隔离模块供电 或 采用自举的方式。请问楼主采用的是哪种呢?
其实说白了,核心原因是 高侧(也叫上管)驱动 需要提供一个独立的电压源 ,这是igbt的构造决定的,类似于nmos管。 如果提供不了这个独立的电压源那么 上管的g级电压就是不稳定的!!!
时段 | 个数 |
---|---|
{{f.startingTime}}点 - {{f.endTime}}点 | {{f.fileCount}} |
200字以内,仅用于支线交流,主线讨论请采用回复功能。