测试条件：发射电容电压110V，电容容量180uF，线圈仅1级，240匝，线径0.4mm，IGBT型号为IGW100N60H3，栅极驱动电压12V，光耦低压侧3.3V，高压侧12V，12V与发射电容负极，电源负极共地。

问题已解决：半桥结构的IGBT使用了低侧驱动ic，导致高侧无法正常开启。

测试波形

黄色为上管栅极电压，绿色为电容电压

黄色线条为上管栅极电压，绿色线条为下管栅极电压，上管栅极振铃现象远大于下管

PCB板顶层截图，左侧为线圈半桥高压侧，右侧为线圈半桥低压侧，中间为基于ucc27517的IGBT驱动电路，ucc27517采用反相输入控制，底部为基于光耦的隔离信号输入部分

尝试了一下半桥开关式磁阻炮，在单级发射测试时线圈高压侧IGBT的栅极产生了很严重的振铃现象，导致IGBT无法完全导通，电容电压下降速度慢，有时会烧IGBT管，怀疑是高压侧电流变化率大产生磁场导致无法正常开启。

发生振铃现象时，光耦输入输出都正常，无波动，仅在IGBT栅极产生振铃现象。

之后尝试将上管集电极与发射极短接，仅控制下管开闭，可以正常发射，而且振铃现象消失。

本人小白一枚，求教大佬指点迷津。

更新一下测试成功的自举高低侧驱动电路原理图。

另：IRS2186的延迟是低侧晚于高侧导通，如果不手动先开启低侧IGBT会导致C13自举电容没有充电无法开启高侧IGBT。