在现代的电子学设备中，金属膜电阻网络正在取代传统的线绕电阻和金属箔电阻，成为各种基准设备中设置电阻比例的主要方案，如电压基准的升压电阻、万用表的输入分压电阻、输入增益电阻、电容积分电阻阵列等等。诚然，金属膜电阻的温漂和老化特性并不及金属箔电阻，跟Fluke公司为代表的低温漂线绕电阻也有不小差距，没办法用作电阻基准。但是，金属膜电阻可以制作成温漂极为一致的电阻阵列，而金属箔电阻和线绕电阻的一致性并不好，必须依赖大量测试和筛选才能解决。Fluke公司就是这方面的专家，在早期的732A和732B电压基准中都使用筛选过的金封线绕电阻来制作升压电阻，并长期以此为卖点。然而，在最近的732C电压基准中，这种电阻阵列已经换成了金属膜电阻网络，如下图所示。显然，即使是Fluke公司这种高傲的专家，也忍受不了筛选低温漂电阻的工作了。

      为了验证这个推测，这里对两只低温漂电阻阵列进行了指标测试。第一只电阻应该是来源于Fluke公司的八位半万用表，其外形和阻值如下图所示。从阻值的分布上看，这明显是用于电容积分电路的电阻阵列，在多斜率积分过程中控制充放电速率的比例，对电阻的相对变化极为敏感。

      这些电阻的温漂测试结果如下图所示。测试表明，所有电阻都呈现出直线型的温漂曲线。不同曲线的噪声幅度有很大差异，这主要跟我用的Agilent 34401六位半万用表有关。根据我的观察，这只万用表在高阻量程时噪声较大，此外当待测电阻不在满量程位置时噪声也要高一点。比如说，在10kΩ量程下，8kΩ~12kΩ的待测电阻有较小的测量噪声，17kΩ或6kΩ电阻的测量噪声就有点大。这不影响我们对1.6MΩ电阻以外的测试，所以后面不再提及这一问题。

      把上面的测试数据整理一下，可以得到下面的数据表格。可以看出，这些电阻的温漂系数都在2~4ppm/℃范围内，算是一致性比较好的结果。此外，这些电阻的阻值越高，则温漂系数越大。我不认为这是测试系统导致的，可能是金属膜电阻自身的特性。

      另一个可供测试的电阻来源于Advantest R6581T八位半万用表，也是万用表的电容积分电阻阵列。该万用表有一部分流出的电路图，从电路图中可以看出，这个标注为RF9209的电阻很机智的避开了高阻电阻，而是先对参考电压分压，再用电阻控制充放电电流。

      对该电阻的测试结果如下图所示。从测试结果中可以看出，这些金属膜电阻也具有直线型的温漂曲线，但在阻值较小时，温漂曲线会有一点弯曲。该电阻的温漂系数在-8ppm/℃左右，比上面的Fluke电阻网络要差，但电阻间温漂的一致性仍然是不错的。

      整理一下上图中的数据，可以得到下面的表格。可以看出，这个电阻阵列的前半部分电阻温漂都在-8ppm/℃左右，后面3只电阻中，有2只在-6ppm/℃左右，最后1只约为-7ppm/℃。这几次测试是不同日期进行的，可能是万用表自身变化导致的，但也不排除电阻本身的设计原因。

      总体来说，金属膜电阻可以制作温度一致性较高的电阻阵列，不考虑阻值超过500kΩ的情况时，温漂一致性应该可以控制到1ppm/℃以内。这个指标至少不差于金属箔电阻或线绕电阻。考虑到金属膜电阻不需要测试配对的成本优势，以及能制作成复杂电阻阵列的特点，可以说金属膜电阻是电阻比例基准的更好方案。