所谓混合是指同时使用scr和igbt。所谓三相是使用3组互相独立的电源，和半桥常见的一组大电容或boost的每级1组电容不同。

本次实验属于原理验证，虽然原理上成功了，但是制作工艺上失败了，因为制作过程中忽略了太多的细节。

原理图大致如下

触发电路如下

pcb上集成了12~15v变压模块。为省事图中所有电阻数值并不正确。光耦由单片机低电平触发，为了保险可以切断5v输入防止走火。

igbt的驱动原理就不多讲了。scr由电流触发，当光耦和igbt同时导通时g极有电流，scr导通。关闭igbt时将同时阻断scr的c极和g极电流，但用二极管将电流续向另一个电容。scr的g极不具有单向性，所以需要加一个二极管防止击穿光耦。

然后是实验环节。本来以为二相就够了，但是这个原理上等同于1阶boost，必须吸收电路的电流完全归零才可以触发，如此一来初位移和末位移就大得难以接受，50cm内只能弄10级。于是改成了三相，即2阶boost。若是相电压较为接近，则电流波形和半桥类似，因为工作时电压几乎同步降低。但问题就出在这里，初速度为0时通电时间很长，电能消耗很大，这就造成相电压不平衡。此时若吸收相电压较高就还好，若电压较低就会造成比较长的电流拖尾并将两相电压拉至相等。而不能及时关断电流，也会造成更严重的电能损失。

由于怀疑买了假硅，测试时并没有上400v高压，事实证明也没那必要。仅仅将电压调至210v，然后按未修正的预置时序触发前6级，电压就降到68v。然后拔掉4~6级接线，电压降到100v。这显著低于预期电压但又不为0。在此之前我并没有注意到，而且偷懒使用了按二相设计的线圈。为了证明猜想，我又将第1级触发后停顿2秒，电压则降到160v。电压表显示的是最高的电压，所以停顿期间仍显示210v。

原理确实成功了，不会触发混乱，而且能正常关断。后来我又将弹丸塞入尝试发射，结果速度仅有14.5m/s，并且发射几次之后线圈变形，产生了至少1mm的间隙。看来得重新计算线圈和时序了……