求教:可控硅导通后会因为电流上升率过大损坏吗?
三水合番2015/06/21电磁炮 IP:黑龙江
对于可控硅因为导通过程中电流上升过快时发生的损坏,网上有这样的解释:如果电流上升太快,则晶闸管刚一开通,便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内,从而造成局部过热而使晶闸管损坏。
那么如果让可控硅在一个上升率极大的电流到来前导通,它还会损坏吗?
来自:物理高能技术 / 电磁炮
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~~空空如也
Ma3.02的守望
9年6个月前 IP:广东
774436
理论上不会,这就是软开,当然可控硅在完全导通的情况下要能承受这个电流。
奶酪发过软开软关的电路。
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/69149
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ls.ls
9年6个月前 IP:重庆
774437
以上问题主要是电流扩散速度不够导致的,在阻抗一定的情况下你要加大电流扩散速度就要提高电压,但是可控硅的控制级电压不能过高,否则可控硅就死了
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三水合番作者
9年6个月前 IP:黑龙江
774447
引用 御坂10086:
理论上不会,这就是软开,当然可控硅在完全导通的情况下要能承受这个电流。
奶酪发过软开软关的电路。
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/69149
那要想让可控硅软开,是只需要让栅极有电流通过就可以了,还是也需要让阴极和阳极之间有电流通过?
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Ma3.02的守望
9年6个月前 IP:广东
774467
只要让大电流到来前栅极导通就行,栅极导通可控硅就导通了。
硬开易损坏是因为完全导通需要时间,未完全导通时可控硅内部只有小部分导通,电流都从这小部分通过造成损坏。
而软开就是完全导通再通过电流。
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