高压模组：
大号闪光灯电容，360V/2000uF，2颗并联；
约3秒充到330V后进入间歇模式；
提供单片机检测及控制接口；
218J左右的总储能。
![IMG_20150113_003618.jpg]()
大号闪光灯电容，360V/2000uF，2颗并联；
约3秒充到330V后进入间歇模式；
提供单片机检测及控制接口；
218J左右的总储能。
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集成加速级挡板：
1.2mm厚度；
光电发射管；
接收光纤；
集成SCR可控硅；
铜柱结构高压通路。
![IMG_20150113_003717.jpg]()
1.2mm厚度；
光电发射管；
接收光纤；
集成SCR可控硅；
铜柱结构高压通路。
引用
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引用 御坂10086:由2组IGBT轮流负责关断。
我猜板子上那片带孔锡层是给可控硅做散热的~
可控硅用高压关断吗......请问是V型开关还是什么关断方案？
引用
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这几天在上手STM32，弄了块0.96英寸的OLED屏作为显示，重写了驱动，大致设计了一个界面～
然后发现这屏是次品，全屏点亮时发现像素点亮度不均匀，尤其是边角，明显看到毛刺。。。![KSL9Q3GBE$74Q}UPIZ40VHP.png]()
![IMG_20150111_131408.jpg]()
然后发现这屏是次品，全屏点亮时发现像素点亮度不均匀，尤其是边角，明显看到毛刺。。。
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引用 ssungirl:这段时间在上公司的项目，加班好多天了，时间少没办法，所以是预计要明年完工。
怎么没更新了啊，连PCB都做出来了，期待啊
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引用 潜伏:就是S8055N或S6055N，好处太多了，哈哈哈。
我猜贴片可控硅有可能是S8055N或者S8040～有没有人说出这管子好在哪
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最近好多事情，家里的和公司的，一直没空捣腾和更新。
刚把SD卡读写程序搞定，至于这个做啥用，后面再告诉大家～
刚把SD卡读写程序搞定，至于这个做啥用，后面再告诉大家～
引用
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昨晚把发射数据采集部分的代码简单测试了一下，5/3us采样，DMA模式ADC连续记录4096次，到时候将作为发射电流的记录；
数据采集完以JSON编码格式写入SD卡，然后简单做了个HTML5的绘图渲染（下图），以后会完善成CG数据综合分析工具。
![QQ图片20150328104324.jpg]()
数据采集完以JSON编码格式写入SD卡，然后简单做了个HTML5的绘图渲染（下图），以后会完善成CG数据综合分析工具。
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发射级光电传感器自检程序完成，原理还是比较简单的：
1，由MCU控制传感器发射管的开启；
2，关闭所有传感器发射管，检测接收管是否全部无信号状态；
3，开启所有传感器发射管，检测接收管是否全部有信号状态；
4，状态机设置ERROR，关闭高压充电模块并显示故障传感器编号。
![QQ图片20150329222030.png]()
1，由MCU控制传感器发射管的开启；
2，关闭所有传感器发射管，检测接收管是否全部无信号状态；
3，开启所有传感器发射管，检测接收管是否全部有信号状态；
4，状态机设置ERROR，关闭高压充电模块并显示故障传感器编号。
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主控程序基本完工，先用excel大致标记了MCU的引脚图，方便后续设计。
![mcu_mapping.gif]()
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再放出很早就已确定好的超紧密加速级结构，总长度在20cm左右：
![stage.gif]()
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抽空测了下1206贴片光敏三极管在塑料光纤传输下的信号响应速度，算是可以接受吧；
之前尝试过高速的光敏二极管，但其特性导致了需要用超高输入阻抗的比较器才行，否则响应速度还不如光敏三极管，并且抗干扰能力非常弱，毕竟亮电流才几个uA。![IMG_20150518_224203243_HDR.jpg]()
![IMG_20150518_224242849_HDR.jpg]()
之前尝试过高速的光敏二极管，但其特性导致了需要用超高输入阻抗的比较器才行，否则响应速度还不如光敏三极管，并且抗干扰能力非常弱，毕竟亮电流才几个uA。
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大致估计了一下，光电传感加上比较器及IGBT的开关延迟，可以控制在10us内，SCR会再需要额外的5us左右，也就是整体差不多15us的延迟，勉强能接受，然后软件补偿吧~
引用
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继续我的超慢进度更新。
这几天把IGBT的驱动方案定了，决定上负压，于是整个驱动部分主要器件就2个，双15V的DC/DC模块，以及6A输出能力的驱动型光耦。
测试结果还不错，光耦造成的驱动延迟大约250ns，下降沿200ns（+15v至-15v），考虑到CG的场景频率较低，所以够玩玩了。
![igbt_drv.png]()
![aaa.jpg]()
![bbb.jpg]()
这几天把IGBT的驱动方案定了，决定上负压，于是整个驱动部分主要器件就2个，双15V的DC/DC模块，以及6A输出能力的驱动型光耦。
测试结果还不错，光耦造成的驱动延迟大约250ns，下降沿200ns（+15v至-15v），考虑到CG的场景频率较低，所以够玩玩了。
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对了，一直都忘记给出本项目的主体控制原理，这里是传送门：XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/69149
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IGBT模块焊完，太过于追求紧凑导致装配难度略高。。。
![igbt.jpg]()
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引用 华蓥:G160N60UFD，2组各2只并联，背面还有个压敏电阻没装。
啥子IGBT？
引用
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引用 华蓥:是啊，虽然2只并联，但最高也就干到250A。
好像IGBT 最多也就2倍额定电流峰值， 所以最高1200A，估计有点难， 关断时是电流最好不要超过300到400A
引用
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