不会说6次发射的效果都一样吧？电压降幅变小是正常的，因为电容电压降低后，线圈的电流上升率也下降了。如果电压再高上去后，最好要通过PWM空制来限流，T_on/T_off=(由放电回路电压+线圈内阻压降)/(电容电压-线圈内阻压降)，频率在20K左右，但也不要整个导通过程都用PWM，开始时，保持ON状态，直到电流上升到最大后（根据线圈电感，内阻，电容电压来算时间），再改为PWM输出。
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电磁Q试验（2006.11.25）
包括了除驱动以外的所有模块，目前的控制核心采用的是另外一个帖子提到的控制装置。完成全部测试后的所有组件是按照图中要求来组装电磁枪的
今天的试验发现了很多东西，单IGBT就可以稳定控制线圈的发射，同时将时间从500US调整到2MS得到了比较详细的数据。稳定的发射时间大约为1.6MS，它控制发射的威力达到了很明显的效果，如图被击穿的铁罐，单片机控制的装置很稳定的达到了相同的穿透效果。
参数如下：
电压：250V
电容8个，容量与过去相同，线圈，弹丸相同
控制关断时间：开通后1.6MS
残电压：150V左右
发射次数：大于30次
在不充电的情况下，可以连续发射大约6次，电压降幅度每次变少。
没有IGBT和线圈明显发热的现象。
注意：密切留意弹丸的可能反弹，今天因此受了点小伤
不充电６次发射效果是不相同的，没有说清楚．呵呵
现在采用的电压和电流都小，同时线圈是过去８００Ｖ８００Ａ的方案制造的东西
下一步打算先挖掘潜力，改变线圈和控制电流，争取彻底穿透铁罐．ＰＷＭ可能要延迟到可靠性实验后，今年是不可能了．先感谢安酷的建议．
同时，希望安酷实验后，尽快将结果贴出供大家参考，我相信是非常有价值的，预祝你实验成功．
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只要过压吸收搞好,应该是很可靠的,计算得到峰值电流不会超过150A,这个值对于IGBT来说是比较安全的.
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IGBT的并联使用和单独使用有一定区别,目前烧毁一只.具体原因分析中,大家注意!
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经过几天试验，发现可控硅是比较安全可靠的开关器件，到目前为止，仅有一只管子因为螺丝刀不小心短路g极和12v而导致，g极损坏外，电压400v,线圈270uh,0.2欧，用两只可控硅40tps12试验了多次，再无损坏。说明007的方案相当可靠，推荐大家采用，以降低不必要的损失！
igbt（g80n60）我已经干掉一大堆了，从无保护措施（侥幸心理所致）到rcd保护加14k391压敏保护，均有烧管现象出现.
igbt的好处是控制简单，但烧钱更快，个人试验证明，可控硅的过流过压能力匪夷所思，安全可靠，就是控制关断太麻烦。我现在临时用双路电源供电光电方式试验，但还是不能很好控制关断时间。
也许007的v型开关+双变压器的电路（无触点直流可控硅都是这种电路）是唯一的选择，哪位有不用变压器控制触发的电路，希望不要吝啬，一定要共享一下!
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