我研究电磁枪已经几个月了，将近半年。在这段时间里我发现了好多。
比如线圈砸数与漆包线直径，电容电压与容量，四者间的比例问题。
多急加速的线圈位置与发射信号问题。
可控硅的串联使用问题，与可控硅信号隔离问题。
升压电路的倍压稳定性。（建议用494）
电容的串联使用问题。
枪管材料问题。
线圈绕制方法问题。
子弹材质与形状问题。
电容、线圈、控制电路、的合理摆放问题。



目前还有一个问题急待解决，就是多急加速中线圈导通时间问题。
再多急加速的电磁枪中，随着子弹速度的增加，通过每一级线圈的时间越来越短，
如果导通时间过长，就会给子弹减速。从而发生以下加速极的加速不正常，
总之加速时间和导通时刻一定要精确!

我目前有几种方案请大家探讨！
  
第一可以改变每一级加速电容组的容量。但是如果同电压下容量不同就无法做到均匀加速。
第二可以改变线圈漆包线的直径，以更小的电阻，获得更短的放电时间。
第三也是最麻烦的一种，就是利用单片机进行信号控制，用昂贵的IGBT代替SCR。


请大家帮帮忙！！！
小弟在此多谢了！！！