本文的结论是：可控硅无关断磁阻炮的续流二极管，作用是①保护电解电容，避免它被反向充电而损坏；②保护电容充电电源的整流二极管，避免它过流损坏；③与保护可控硅无关。

本文标题中的磁阻炮，指“可控硅无关断磁阻炮”，其功率回路如下图（不包含寄生参数）。

图1

1. 关于保护电解电容

这是续流二极管的主要作用。如果不加续流二极管的话，各点电压和电流波形的仿真结果，和使用的仿真模型如下

图2

此时，储能电容和线圈形成了一个简单的LC振荡电路。储能电容放电到0V之后，会被线圈反向充电。常用的铝电解电容是有极性的，反向充电导致其损坏。因此需要加续流二极管，来避免这个问题。加续流二极管之后的仿真结果和模型如下

图3

可以看到，在线圈两端电压方向改变之后，续流二极管导通。之后，线圈中的能量以发热的形式，损耗在线圈寄生电阻和二极管上。避免了电容因为反向充电而被损坏。

顺带一提，图3里可以看到，续流二极管导通时，它上面的电流并不是瞬间升到峰值，而是相对“平缓”的上升。所以说，续流二极管并不需要很好的频率特性，没必要用快恢复二极管，用普通的工频整流管就够了。这个平缓的上升是由电容内阻导致的，具体原理与本文无关，就不展开讨论了。

有些人会因为“不加续流二极管发射，电解电容也没有出现立刻的、致命的损伤”，而得出“续流二极管的作用不包括保护电解电容”的结论，这是错误的。铝电解电容在承受少数几次脉冲式的反向充电后，本身也不一定会出现显著的损伤。电解电容反向充电时损坏的原理，目前主流的理论是“氢离子理论”——反向电压会导致电解液击穿，使其中的氢离子变成氢气，氢气的膨胀使氧化铝层脱落，进而使电容损坏。在氧化铝层脱落较少时，铝电解电容可以“自愈”——在加正向电压时，通过电解液提供氧的负离子（O2-），能自动修补氧化铝膜中的瑕疵，使其绝缘性能恢复到可用的水平。但是这个自愈能力是有限的，平白无故的浪费自愈能力会缩短电容寿命，因此需要加续流二极管来避免这种浪费。

不过说，不加续流二极管导致的电容寿命缩短程度，目前并没有已公开发表的、定量的实验结果。也许即使每次发射都让电容进行一遍“损伤再修复”，寿命依然在可接受的范围内。如果能有人做一下相关实验，也是极好的。（当然，这不耽误现在的二极管主要作用是保护电容）

2. 关于保护电容充电电源

这是续流二极管的次要作用。一般的作品里，电容充电电源（以下简称CCPS）是始终和储能电容相连的。尽管发射的时候一般会关掉CCPS，但几乎没人会每次发射都把连接断开（指剪断线、焊断焊点这种硬核的断开）。而一般的CCPS都是直接用整流二极管输出的。如果不加续流二极管，储能电容被反向充电之后，CCPS的输出会脱离电路的控制，直接导通，如下图

图4

CCPS的整流二极管，一般耐流都不大，直接承受线圈续流的电流，会过流烧毁。对于反激类的CCPS，由于整流二极管和电阻很大的变压器次级串联，电流不会特别大，可能不会烧毁二极管。但是大电流会使变压器饱和，可能使开关管过流烧毁，较高的负压也可能损坏反馈电路。

加续流二极管之后，电容不会被反向充电，这些问题自然也都不存在了。

3. 关于和保护可控硅无关

续流二极管和保护可控硅无关。有一种说法是“不加续流二极管的话，线圈续流产生的高压会击穿可控硅”，这是错误的。

首先给出一个没有加续流二极管，且没有损坏可控硅的例子 

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然后从理论上说明一下。可控硅有“闩锁”的特性——门极只能控制导通，不能控制关断。导通之后，撤掉控制信号，依然会保持导通状态，直到阳极电流降低到接近零之后，才能自然关断。所以如果线圈上还有电流，那可控硅就不会关断，此时显然不会有高压。可控硅关断的时候，线圈上几乎没有电流，当然就不会有“续流产生的高压”了。仿真结果参见图2，即使不加续流二极管，整个发射过程中，也不存在正向的电压尖峰。

当然，续流二极管对可控硅也不是一点好处也没有。从图3可以看出，续流二极管能分担一部分线圈电流，让可控硅承受的电流略微小一点。但是这个作用非常有限，远远达不到“保护”的程度。