参数提取部分：
下图为NMOS测试电路，以一个W/L=10/1的NMOS为例，对该管的KN，沟道长度调制系数（Lambda），体效应系数（Eta）进行计算
不要忘记导入仿真参数文件（虽然先进的工艺库大多给你直接自动导入好了）
使用Tools->Parametric Analysis，对VGS进行仿真，仿真产生不同VGS下的VDS-ID曲线簇
另一张重要曲线图就是给定VDS=5，扫描VGS-ID曲线，主要用于粗略得出VTH
手工计算思路：首先选定典型IV特性曲线一条，选取饱和区的两端，计算得出KN×Lambda，将该值重新代入方程中，计算得出KN和Lambda
手工计算的结果：Lambda大约是7.14×10^-3
软件计算结果：Lambda=1/Vearly=9.91×10^-3，误差超过了20%。。。。。。。。
--------------------------------------------------------------------------下面为设计部分-------------------------------------------------------------------------------------------
首先，由电源电压和功率参数，我们可以得出结论：设计整体电流<=40uA
我们砍出一半，作为这个放大器的工作电流。
观察共源共栅结构的公式，我们可以得出如下结论：
（抱歉，未完待续）
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