电感啸叫不是驱动MOS管的电压波动引起的！
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【电源】关于开关电源制作的隔离问题探讨
先用一个随便画的开关电源原理图来说明，欢迎大家留言探讨
开关电源在LO为高时（HO置低，mosHO关断），电感由于电流的方向和大小的不可突变原理，需要通过MOS-LO从地抽取电荷，而电荷抽取的频率即为开关电源的工作频率，因此，会在GND上形成周期性的脉冲电平，若不加隔离，会导致芯片的数字地被污染，IR2110驱动mos的电压会有波动，从而影响整体电路的工作，主要是反应在电感有啸叫（如果开关频率较高，则啸叫频率过高导致人耳听不到）而且输出的电压不稳定。
由此，我们引入了数字地（SGND）和功率地（MGND）
在使用过程中为了保证数字地的稳定性，我们需要将二者相互隔离，主要方式有中间用电感链接（磁珠电感）或者使用0omh电阻进行连接，推荐使用电阻进行连接
同时在使用2110的时候需要注意，芯片功率部分的COM口需要连接功率地，若不连接功率地而直接连接到数字地，会将脉冲传导到数字地上，而且输出端输出的电压会有明显的三角波形。
在布线的时候要注意功率走线要尽量的铺铜，减少导线的电阻。
对于外设的接地和电源（电压采集模块，电流采集模块）需要使用数字地进行连接
[修改于 6年6个月前 - 2018/06/01 15:17:44]
如果功率部分布线合理，并不需要电感或者电阻在逻辑地和功率电源地之间做隔离。当高端导通后截止，低端开始导通，电流从地续流向电感，这个地电流回路应该被限定在L→负载→局部地→低端MOSFET→L。如果这个地电流经过其他地方，才会影响其他电路。
当低端导通时，并不是硬生生从地抽取电荷，造成地电压下降，是电感两端电压变化造成电流流向的变化。
另外，cc1使用了100uf电容，在高频工作时会给电荷泵带来沉重负担，没法及时正常驱动高端MOSFET。感觉楼主只是复制粘贴的示意图，并不是真的用了100uf。
所有的功率电感工作时都会有机械振动的趋势，看制作工艺咋样了。
引用
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