如果功率部分布线合理，并不需要电感或者电阻在逻辑地和功率电源地之间做隔离。当高端导通后截止，低端开始导通，电流从地续流向电感，这个地电流回路应该被限定在L→负载→局部地→低端MOSFET→L。如果这个地电流经过其他地方，才会影响其他电路。

当低端导通时，并不是硬生生从地抽取电荷，造成地电压下降，是电感两端电压变化造成电流流向的变化。

另外，cc1使用了100uf电容，在高频工作时会给电荷泵带来沉重负担，没法及时正常驱动高端MOSFET。感觉楼主只是复制粘贴的示意图，并不是真的用了100uf。

所有的功率电感工作时都会有机械振动的趋势，看制作工艺咋样了。