请翻手册，HO只有在HIN和LIN#同时为高时才会输出高，所以只有一个输入 PWM 信号而另一个为低是不行的。
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提问：IR2103的HO引脚没有按预期输出
关键词
IR2103IR210x
IR2103是MOSFET驱动芯片，其中含有高侧MOSFET的驱动功能。按照XXXXXXXXXXXXXXXXXXX/li-chuang-zhi-neng-ying-jian-bu/mos-guan-shi-ji-qu-dong-xin-pian-yan-zheng-ban的设计（更换芯片为IR2103，引脚位置一样只是输入逻辑不同，其余器件与图中一致），
并将IN_1与SD_2连接，IN_2与SD_1连接，无论如何输入PWM信号，都只能在LO引脚上检测到与输入反相的信号。【注：此处的记号为上图(原理图)中的记号，实际上由于采用的芯片为IR2103而非IR2104，IN_1对应第一个IC的HIN，SD_1对应第一个芯片的LIN，IN_2对应第二个芯片的HIN，SD_2对应第二个芯片的LIN】
信号频率：111kHz，方波，约50%占空比
电源配置：VCC=12V，PWM高电平=5V，VPP（H桥供电）=12V，均共地。
IN_1和SD_2的信号如图(示波器CH1, 2V/div)：
输出HO的信号：(CH2 500mV/div)
输出LO的信号：(CH2 5V/div)
换为IN_2、SD_1输入信号（IN_1、SD_2为低电平），结果为：
(输入信号，2V/div)
(HO, CH2, 500mV/div)
(LO, CH2, 5V/div)
自举电容上有约为VCC=12V的电压（CH2, 5V/div）：
自举电容低侧（VS）侧的电压与HO的电压基本一致（波形几乎重叠）
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那看来是被手册里面Logic input for low side gate driver output (LO), out of phase这句坑了...
能否解释这个功能是从内部结构图的哪一部分实现的？
IR的手册有时候很难懂，甚至某个芯片的引脚都写错了
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你是不是没注意到 LIN 上有个横线
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除了把LO侧逻辑搞反了以外，另外感觉你的栅极1kohm电阻大了点，会无谓增加mos损耗。
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我从淘宝买过好几次IR2103，都是假货...建议从立创等正规渠道获取IR2103。
假芯片害人不浅呐！
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Aromatisation
进士 机友 笔友
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