IR2103是MOSFET驱动芯片，其中含有高侧MOSFET的驱动功能。按照XXXXXXXXXXXXXXXXXXX/li-chuang-zhi-neng-ying-jian-bu/mos-guan-shi-ji-qu-dong-xin-pian-yan-zheng-ban的设计（更换芯片为IR2103，引脚位置一样只是输入逻辑不同，其余器件与图中一致），

并将IN_1与SD_2连接，IN_2与SD_1连接，无论如何输入PWM信号，都只能在LO引脚上检测到与输入反相的信号。【注：此处的记号为上图(原理图)中的记号，实际上由于采用的芯片为IR2103而非IR2104，IN_1对应第一个IC的HIN，SD_1对应第一个芯片的LIN，IN_2对应第二个芯片的HIN，SD_2对应第二个芯片的LIN】

信号频率：111kHz，方波，约50%占空比

电源配置：VCC=12V，PWM高电平=5V，VPP（H桥供电）=12V，均共地。

IN_1和SD_2的信号如图(示波器CH1, 2V/div)：

输出HO的信号：(CH2 500mV/div)

输出LO的信号：(CH2 5V/div)

换为IN_2、SD_1输入信号（IN_1、SD_2为低电平），结果为：

(输入信号，2V/div)

(HO, CH2, 500mV/div)

(LO, CH2, 5V/div)

自举电容上有约为VCC=12V的电压（CH2, 5V/div）：

自举电容低侧（VS）侧的电压与HO的电压基本一致（波形几乎重叠）