多谢虎哥的建议,但如果考虑到增加截面积的话,体积是巨大,便携性不好,所以只能折中了,还有就是选择细铜的话匝数会减少,所以只能在能耗与体积间折中选择,优点也是有的,比如减小了漏磁
电磁炮爱好者的电路,一般都是单线圈,然后提高线圈电流用的是多管并联,这样在没有电流保护的情况下,很容易造成igbt或可控硅的不对称过流烧管的情况,所以通过这几天的思索,可以通过多线圈并绕,每一股线圈对应一个开关管和快恢复管,但是在大电流下,每个管可以获得很平稳的均匀电流,从而避免了烧管的现象,但是缺点也是有点多,就是要选择更细的铜线绕制,增加了损耗,也增加了制作的难度。
以下是采用的0.5铜线绕制,每股线圈1Ω,等效电阻0.25Ω,红线为总线抽头
igbt是ixgq240n30p.240a额定电流,300v耐压有点低,
每股线圈对应一个igbt和快恢复管,
快恢复二极管是75epu12b.抗浪涌好像是500a左右,耐压1200v每个管对一股线圈,
电容总容量9800uf.都是混装电容,zvs升压到250v,
光电是施密特触发器的,可以去抖动和低延时。
棚极驱动器是tlp250
电压250 v发射后,余电157v左右,发射总能量190j左右,速度还没测,总电流应该是1000a左右
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[修改于 3年0个月前 - 2021/11/25 08:49:48]
这个想法很好,如果是自己想出来的工程措施,并且还实验检验了,应该强烈赞扬。多股并绕的问题是增加了漆包...
多谢虎哥的建议,但如果考虑到增加截面积的话,体积是巨大,便携性不好,所以只能折中了,还有就是选择细铜的话匝数会减少,所以只能在能耗与体积间折中选择,优点也是有的,比如减小了漏磁
讲道理,讨论“均流”的性能,至少得测试各个开关管上的电流并比较才合适😂不过说,电炮电流波形的测试结...
其实是懒得去做,在每个igbt的e极窜接入康铜然后接地,这个时候接康铜两端去比较器放大,检测康铜的两端电压,就可以得到流过康铜每个igbt的电流,但是去做已经猜到的结果,这就有点懒得做了,其实这只是个验证电路,我也给后面的刚接触磁阻炮的人一点经验,就是如果在电流和体积无法再提高的前提下,增加线圈匝数和弹体的导磁强度才是王道。
也不能说结果已经猜想到了吧…如果每一路的参数完全相同,那确实是电流一样(当然这样也就不用均流了)。但...
每组参数是一致的,一致的绕法,就是晶体管的离散性未知,但是在并联电路中,可以忽略,可能导通刚开始,会有延时原因,个别管会发生耦合而产生反电势,但后面完全导通会呈一致性的,
时段 | 个数 |
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