应该不是这个原因，又加了一个二极管，目前509V能工作了，一个脉冲之后电容还有455V电压，怀疑是二极管的问题，后续继续提高电压和电流测试效果。这个问题还是想不通，暂且认为是二极管的问题吧。
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G160N60UFD极限测试遇到的问题
为了在电炮中更好的使用G160N60UFD,对此元件在电炮电路中进行耐压和过流的测试，力求接近元件的参数极限。
如图，线圈内阻3.9Ω，电容450V3300uf,IGBT的G极输入一个宽度30ms的方波脉冲信号，逐步升高电容电压。电容电压升高到470V时工作正常，在下一步电压加到500V时，IGBT炸碎，同时发现续流二极管也击穿了，但是二极管的外观还是良好的。产生了一个疑问，为什么IGBT和二极管会同时损坏?实在想不通，希望有经验的坛友帮忙分析一下。后续更换元件继续测试
G160N60UFD内部集电极和发射极之间是有一个二极管的，忘了画上去了。
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如图，线圈内阻3.9Ω，电容450V3300uf,IGBT的G极输入一个宽度30ms的方波脉冲信号，逐步升高电容电压。电容电压升高到470V时工作正常，在下一步电压加到500V时，IGBT炸碎，同时发现续流二极管也击穿了，但是二极管的外观还是良好的。产生了一个疑问，为什么IGBT和二极管会同时损坏?实在想不通，希望有经验的坛友帮忙分析一下。后续更换元件继续测试
G160N60UFD内部集电极和发射极之间是有一个二极管的，忘了画上去了。
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嗯，怀疑是二极管耐压不够，IGBT导通后二极管击穿，导致IGBT在电流上升过程过流炸碎，因为是二极管先击穿的，所以二极管没有炸碎。现在用两个二极管串联确实好了。
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