这个接5V的时候能拉多长的弧
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一个555+图腾+场管推高压包，求改进建议
做了个555+图腾+场管推高压包，贴出来大家对改进有什么建议请回复~~~
首先是电路：
![电路.png]()
其中，R7为多圈电位器，由于是多圈，接上后对G波形有点影响……在未接高压包时R7调整为使G高电平为4.5V（或多一点点），
使用的场管IRFP264的开启电压为4.5V，设置该电位器是希望可调功率。
初级是磁芯上自绕7匝，电源12V。
空载时：
![RA2K2_RB40K_空载.png]()
次级短路时：
![RA2K2_RB40K_放电.png]()
取样点均见电路。
不知怎样改善。
次级输出（5x1M+1K电阻分压，测的是1K电阻两端的电压）：
![RA2K2_RB40K_次级（5M-1K分压）.png]()
算算峰值大约2.8KV……
最后是放电图啊……
![IMG_20160308_144812.jpg]()
请大家提提意见，怎样改善之。![IMG_20160308_144812.jpg]()
![RA2K2_RB40K_放电.png]()
![RA2K2_RB40K_次级（5M-1K分压）.png]()
![电路.png]()
![RA2K2_RB40K_空载.png]()
首先是电路：
其中，R7为多圈电位器，由于是多圈，接上后对G波形有点影响……在未接高压包时R7调整为使G高电平为4.5V（或多一点点），
使用的场管IRFP264的开启电压为4.5V，设置该电位器是希望可调功率。
初级是磁芯上自绕7匝，电源12V。
空载时：
次级短路时：
取样点均见电路。
不知怎样改善。
次级输出（5x1M+1K电阻分压，测的是1K电阻两端的电压）：
算算峰值大约2.8KV……
最后是放电图啊……
请大家提提意见，怎样改善之。
引用 smith:接5V……看你电源功率，我这个VGS=4.6V，如果5V的电源功率够同时也调R7到VGS=4.6V，应该是会短一点点，如果电源功率够，调R7到最上端，应该会比这个长点（初级电流会到3~4倍）。参考IRFP264的典型输出特性曲线……
这个接5V的时候能拉多长的弧
引用
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引用 smith:主要是想看看怎么样改善拉弧时的波形，减少MOS的发热……
这个接5V的时候能拉多长的弧
引用
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楼主用的是irf264，跑去百度文库看了下datasheet，这个管子的VGS能达±20V。
![irf264.png]()
建议把三极管图腾后面的电阻分压去掉，直接驱动MOS的G。
楼主使用了4.5V驱动MOS管，再看datasheet，这个管子的VGS(th)的最大值有4V。
![1.png]()
仅使用4.5V的驱动电压，MOS仅处于刚导通状态，Rds与VGS=15V时的Rds相比
大一些。自然发热就大一些。
建议把555的供电电压提到15V。
至于调节功率问题，可以考虑调节555输出的占空比来达到调节的目的。初级可以
串上电容搞成谐振，这样功率就上去了。
最后建议LZ参考一个帖子：
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/46425
PS：若描述有误，技术不足之处，望请原谅。
建议把三极管图腾后面的电阻分压去掉，直接驱动MOS的G。
楼主使用了4.5V驱动MOS管，再看datasheet，这个管子的VGS(th)的最大值有4V。
仅使用4.5V的驱动电压，MOS仅处于刚导通状态，Rds与VGS=15V时的Rds相比
大一些。自然发热就大一些。
建议把555的供电电压提到15V。
至于调节功率问题，可以考虑调节555输出的占空比来达到调节的目的。初级可以
串上电容搞成谐振，这样功率就上去了。
最后建议LZ参考一个帖子：
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/46425
PS：若描述有误，技术不足之处，望请原谅。
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引用 奇侠:谢谢！
楼主用的是irf264，跑去百度文库看了下datasheet，这个管子的VGS能达±20V。
建议把三极管图腾后面的电阻分压去掉，直接驱动MOS的G。
楼主使用了4.5V驱动MOS管，再看datasheet，这个管子的VGS(th)...
刚开始的时候使用分压主要是考虑调功率以及开始时用的线路太细，要限制电流。不过换了厚实的导线，下次可以试试去掉分压调占空比。
另，关于电容的问题，我这个电路里用的是并联，一直不太清楚什么情况下应该用并联什么情况下应该用串联，以及优劣，能否说说？谢谢。
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不需要图腾，555直接驱动场馆即可。不过我一般不这样做，我用3525双边驱动双MOS推彩电高压包，输出有50KV,拉唬近4厘米，质量差点的高压包一两个回合就击穿了。
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不要用电阻调节功率，场管在电压不足时一样工作在不饱和区，会很烫手的。G点电压必须高于阀值20％以上。电阻可以用力调节555的占空比
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