这个市电全桥ZVS电路是根据“laputa2112”的电路改编而来的，下管驱动改为了推挽驱动，上管用光耦弥补了360欧的驱动内阻，增强了驱动能力，减小了IGBT门极延迟造成的损耗，功率管为耐压1200V的IGBT FGA25N120，并联在DS端的四个0.33uf电磁炉电容为吸峰电容，避免门极动作产生的尖峰电压击穿IGBT，四个二极管选FR207 FR307 UF4007等耐压1000V的快恢复二极管。其实在很久以前就有人发布了一个抽头式市电ZVS，说实话，那个电路理论上可以工作，但在实际中很难实现，因为耐高压的压控功率管一般都是IGBT，并且现在的IGBT单管一般耐压值为1200V，ZVS谐振时谐振电容电感端电压超过π*VCC，一般为4倍电源电压，用310V市电就会在IGBT的DS产生1200V左右电压，管子在击穿的边缘。因为那个市电ZVS还是采用的与经典抽头式ZVS相同的拓扑-推挽，但是对于全桥，两个IGBT串联去承受那1200左右高压，所以对一个IGBT单管只要求600V以上的耐压即可，选用两个1200V IGBT串联组成的一个桥臂能够承受2400V高压，完全够了，安全了。电路图中要注意:IGBT5和IGBT6虽然不用于主功率部分，之用IGBT是因为它的耐压高，不能用低压的mos管如irfp250 260，irf222等，至于光耦，穷人可以用用PC817，PC817的输出电阻大约为90欧姆(比较大)，相对于360欧姆要好一些，土豪可以选择CPC1008N，CPC1017等光耦继电器来替换，CPC1008N的输出电阻为4.7欧姆，这个对于上管的驱动能力就很强，损耗更小，并联在IGBT DS端的吸峰电容请千万用电磁炉的0.33uf BM电容，对于CBB电容，悄悄漏掉一个尖峰就会击穿一个IGBT，下管的推挽三极管只要是npn和pnp就行，没有任何要求。驱动电压18V独立供电，淘宝上电磁炉电源模块多的去了，3块钱一个。