MOS的损坏原因是否为单纯的焦耳热
轻音与二次元2015/08/13电磁炮 IP:浙江
        目前我只能找到一款极适合低压方案的MOS作为开关,那就是IRF3206。(PDF文件上说它的导通阻抗3mohm峰值电压为60V,峰值电流840A,脉宽最大为400μS)如果说MOS损坏的原因仅仅为焦耳热的话,那么我们可以算出这段脉冲产生的焦耳热作为极限承受值:0.003*840^2*400*10^-6=2.54016*10^-3J也就是说一次脉冲管子最多承受这么多的发热。由此,我若保持发热低于此值,同时拉低电流,能否适当拉长脉宽?
来自:物理高能技术 / 电磁炮
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~~空空如也
轻音与二次元 作者
9年4个月前 IP:浙江
785460
引用 北落师门:
不能按峰值电流算极限,要根据热阻算,管子损坏是因为产生的热量导致的温升。而且在极短的脉冲下损耗并不是简单的直流损耗除以个时间,我理解为在这种短脉冲的一个周期下,原本很小的上升/下降沿会占据周期相当大的一部分,所以这种情况下电流要打折,不过最...
说的很有道理!上升/下降沿的开关损耗的确是十分厉害的。不过数据手册上说这管子的极限脉冲是在10V,840A,脉宽小于等于400us,脉冲重复频率小于百分之2的条件下测出的。这就意味着该测试是在包含上升/下降沿的条件下测出的。既然如此,我认为只要散热得当,还是可以按照这个“极限参数”来处理计算。(当然我原先我提出的那种简单算电功的方法站不住脚咯,只能大概判定一下,,)
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轻音与二次元作者
9年4个月前 IP:浙江
785462
引用 量子隧道:
看懂管子数据手册里的SOA曲线图(安全工作区图),就全理解了。
可是我英文不行。。。
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