还要知道电磁铁的标定工作电压，电流，直流电阻，另外这个图看不出串入VMOS的用处，N型的管子一般都是共源接法，这里接法 有何用意？
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因为电容放电时的电流较大，耐那个开关又很小（因空间原因不能装大的开关），所以想把这个管当开关用。
还是应该下图这样接？![P2.png]()
还是应该下图这样接？
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请尝试一下在储能电容上串联一个几欧姆的功率电阻，有可能因为电容放电电流过大造成。
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不要用MOS，改用大电流的IGBT或是可控硅，因MOS内部是电阻性的，电流越大，内耗越大，IGBT和可控硅内部是电压性的，内耗和电流关系不是很大。
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电磁铁的电阻要先知道，算出电流好选择元件，MOS管虽然允许电流很大，但此电路的电流可能远远大于管子的安全电流，所以会坏，MOS管G极电阻大会造成开关过慢，也增加管子的损耗，电容放电的开关最好用单向可控硅。
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场效应管结电容较大，用10K以上的输出阻抗的电压源对其进行充电会导致充电速度慢，进而导致管子损耗很大，在短时间内MOS承担了很大的功率远远超过了它能承受的最大功率（uds*ids).
我看不出这个电路是干什么用的，如果是为了搞延时电磁铁，用场效应管+延时电路（比如555，或者单片机）都可以啊。
场效应管触发电压要恒定，那个电容的电压是衰减的，场效应管会半导通，会损耗过大损坏。
你可以告诉我你要实现一个什么目的，我帮你设计一个电路。
我看不出这个电路是干什么用的，如果是为了搞延时电磁铁，用场效应管+延时电路（比如555，或者单片机）都可以啊。
场效应管触发电压要恒定，那个电容的电压是衰减的，场效应管会半导通，会损耗过大损坏。
你可以告诉我你要实现一个什么目的，我帮你设计一个电路。
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非常感谢大家。这个电路只是我的一小部分电路。因为如果直接用60V对电磁铁（其实是电磁锤）力量是不足的，只能对电容充电，然后从电容放电才能得到这么大的力。确实，我用了单向可控硅，成功了。谢谢大家。
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引用 mcate:可控硅湿敏型号啊？
非常感谢大家。这个电路只是我的一小部分电路。因为如果直接用60V对电磁铁（其实是电磁锤）力量是不足的，只能对电容充电，然后从电容放电才能得到这么大的力。确实，我用了单向可控硅，成功了。谢谢大家。
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TYN1225，单向可控硅。不过前段时间按照4楼说的，串一个0.01欧的电阻就不会烧了。这么小的阻值，都有用，本人真是太没文化了。看来真的是瞬间电流过大造成的。再次感谢大家。
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