采用的管子是IRFB3206,内阻3毫欧,模拟时将电容内阻,以及外部线路内阻算作10毫欧。之所以选用这样的低压,是因为容易获得和使用,电容可直接用25V的并联,不必串联。电源用几个3824稳压块并起来即可。如果用大功率电池即可保持连续半/全自动射击
引用 liunian198:对
貌似这些数据,是楼主模拟出来的?
引用 三水合番:的确有点吓人了,但是尽管如此,电流峰值也才750A+,脉宽小于350us,而MOS能承受脉宽400us的840A电流!我倒是觉得前面几级有点吓人,脉宽都飙到1000+了,超了2.5倍(虽然电流小)
初始位置是测量的还是设计的?总耗能是打完后逐级测余压算的吗?
线圈匝数蛮有意思的,17匝的有点吓人。
时段 | 个数 |
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