能达到，到这个频率分布参数影响较大，计算没意义，实验为主。。。。
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要看实际情况的，计算频率能到2M也没什么意义，实际就要看功率管的承受水平了
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功率管基本没问题,用的场管频率能到12MHz,,主要就是电路参数不知道怎么算.
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管子标称到65MHz。实测到12M不失真，2M应该问题不大
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做过100M的 测得波形 Q值很低 G波形为半波正弦 不是方波 有可能是因为探头电容的缘故 也不知道有没有工作在软开关状态
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总之想频率高 就降低电感电容值 Q值一般电感小了 Q值就会小 导致谐振电流减小
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我也在做高频的双电感ZVS，当然是改进后本身损耗更小的ZVS了。我想说的是频率很高要选用“高频”，“大功率”，“开关”的管子确实很难，而且随着频率提高驱动波形失真大，所以最好选用带栅极电阻的开关管，比如IRFB系列的管子，我在用的是：IRFB4620。基于栅极电荷和栅极电阻的考虑这种管子算是效果比较好的了
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超新星のktjc 发表于 2014-6-30 08:59
用了没问题啊,
？？？对于这个双电感的ZVS存在一个问题，就是当频率提高时，如果要保持线圈不变的话，就要减小电感，但是与此同时整个电路的功率就会下降。你说你用了，那有没有发现到了2M，基本上功率就比较小了
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flynn 发表于 2014-6-30 16:45
？？？对于这个双电感的ZVS存在一个问题，就是当频率提高时，如果要保持线圈不变的话，就要减小电感，但 ...
减小电感后发现不起振,就减小电容了,不过确实是功率小了不少.
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超新星のktjc 发表于 2014-7-1 12:33
减小电感后发现不起振,就减小电容了,不过确实是功率小了不少.
恩，保持线圈不变，当然是要减小电容，那减小电容之后功率是多少？还记得做到2M的时候功率时候的参数么？
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flynn 发表于 2014-7-2 15:39
恩，保持线圈不变，当然是要减小电容，那减小电容之后功率是多少？还记得做到2M的时候功率时候的参数么？
我直接吧电容去了,依靠电路的寄生电容,频率高了好像达不到软开关了,总功率最大10W
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超新星のktjc 发表于 2014-7-3 13:48
我直接吧电容去了,依靠电路的寄生电容,频率高了好像达不到软开关了,总功率最大10W
对。。。我的想法也是能不能把电容去掉直接设计一种高频大功率的拓扑。。。不过这种双电感的ZVS功率主要是由电容的大小决定的（这个你可以通过分析一个周期的功率回路推导出来整个电路的功率是由电容决定的），当把电容去掉的时候只有寄生电容作用所以功率很小。对于这种并联谐振的拓扑本身就是靠电容来增大功率的，所以要想去掉电容，只用电感来增大功率，只有改成是串联谐振的电路拓扑。。。。。
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本帖最后由 布布卡 于 2014-7-19 23:58 编辑
我最近也在玩这个 也是用arfXXX的管子 也打算双管E类串联谐振 后面加个自谐振线圈（这个Q值高很多） 先定频10Mhz左右找谐振点之后上锁相环
栅极驱动有空可以试试Cgs+外接电感谐振驱动 能容易一些
ps 我线圈用的无线输电QI标准中的A1线圈 （可以试试这类标准的线圈 一致性比手工制作的好多了）
lz zvs里的两只二极管用的什么型号的 是不是速度慢了 换肖特基试试 感觉这类自激电路对器件要求高 器件决定了最高频率 看到一些频率很高的振荡器结构很简单 里面什么砷化铟镓或者是磷化铟 硅 锗 等材质的芯片几个金线一连。，
伸个手 :大约10MHz 10v 2A的交流电整流用肖特基二极管效果好吗？ 是不是电容大了些
我最近也在玩这个 也是用arfXXX的管子 也打算双管E类串联谐振 后面加个自谐振线圈（这个Q值高很多） 先定频10Mhz左右找谐振点之后上锁相环
栅极驱动有空可以试试Cgs+外接电感谐振驱动 能容易一些
ps 我线圈用的无线输电QI标准中的A1线圈 （可以试试这类标准的线圈 一致性比手工制作的好多了）
lz zvs里的两只二极管用的什么型号的 是不是速度慢了 换肖特基试试 感觉这类自激电路对器件要求高 器件决定了最高频率 看到一些频率很高的振荡器结构很简单 里面什么砷化铟镓或者是磷化铟 硅 锗 等材质的芯片几个金线一连。，
伸个手 :大约10MHz 10v 2A的交流电整流用肖特基二极管效果好吗？ 是不是电容大了些
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不能
zvs一般都是场管和igbt做的零电压开关电路，即使是普通的开关管，零电压开关带阻驱动变压器或电感，一般也只能做到几百K而已
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就目前而言，市场上还没有出现兆赫兹的场管，场管的结构和工作方式就决定了他的频率不会太高
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