最近在玩单片机逆变器,准备用检测MOS管压降的方法做为短路保护.原理很简单,MOS开通电阻一定,当通过电流增大时上面的电压必将升高,当高到足够点亮光藕里面的二极管时就触发保护了.
在ZVS电路中,MOS是靠另一个MOS的导通下拉栅极电压而关断的,途经一个二极管.那么设想,当负载很大时初级电流也很大,MOS上的压降也大,二极管两端电压相对较低,MOS管关断可能不彻底导致线形损耗大甚至停振.还有个原因,mos是靠470欧电阻上拉开启的,因此MOS栅极的波形也不是方波,开启时必然进入线形区一段时间,这时导通内阻更大,压降更大............
以上为个人看法
这是ZVS原理图和关断场效应管时的等效电路:
R1是原图上的470欧电阻,由于有12V稳压二极管的存在,所以输入定为12V,C1代表一个管子的结电容,R2代表另一个管子的导通电压降,I代表槽路电流
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