电路图是这样的
我的目的是想让1、2、3三个可控硅轮流导通，理论上消耗在线圈上的功率与单级加速是一样的，因为三个线圈串联，电流减小为三分之一，电阻增加速度倍，放电时间增加3倍。峰值磁场虽然下降，但是维持时间增加，我想看看到底是多级加速效率高，还是这种电路效率高。
首先当然还是用16V电源做实验，一开始就遇到怪事了：第一个可控硅导通后，启动第二个可控硅，按道理说，不会再有电流流过第一个可控硅了，它会自动截止，可它就是不截止，然后第二个可控硅处直接用导线接地，用表测量，第一个可控硅处没电流了，断开导线，K，第一个硅竟然又自动导通了，以为是导线短路时间不够，维持了数秒钟再断开，第一个硅竟然还是自动导通。直到增加了那个二极管它才不导通了。
我想知道的是，为什么第一个硅会在没有触发的情况下自动导通，如果是反生电动势击穿的，为何试了N次，第一个硅并没有坏，还能使用。况且16V的电压，200圈的线圈产生的反生电动势应该不至于击穿耐压1200V的可控硅吧。
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