电路图是这样的
我的目的是想让1、2、3三个可控硅轮流导通,理论上消耗在线圈上的功率与单级加速是一样的,因为三个线圈串联,电流减小为三分之一,电阻增加速度倍,放电时间增加3倍。峰值磁场虽然下降,但是维持时间增加,我想看看到底是多级加速效率高,还是这种电路效率高。
首先当然还是用16V电源做实验,一开始就遇到怪事了:第一个可控硅导通后,启动第二个可控硅,按道理说,不会再有电流流过第一个可控硅了,它会自动截止,可它就是不截止,然后第二个可控硅处直接用导线接地,用表测量,第一个可控硅处没电流了,断开导线,K,第一个硅竟然又自动导通了,以为是导线短路时间不够,维持了数秒钟再断开,第一个硅竟然还是自动导通。直到增加了那个二极管它才不导通了。
我想知道的是,为什么第一个硅会在没有触发的情况下自动导通,如果是反生电动势击穿的,为何试了N次,第一个硅并没有坏,还能使用。况且16V的电压,200圈的线圈产生的反生电动势应该不至于击穿耐压1200V的可控硅吧。
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