HI-MH改为Ni-MH    [s:253]



~~~ 一个  i  的大小写~~~~~~~    


以我这么伟大的~~~~~爱好者怎么可以吧太多的时间  用在文字的~~~功夫上了   [s:252]

原来是这个  在意了  哈哈  


   辛苦了好同志

引用第8楼latexles于2009-09-08 19:48发表的  :
找不到肖特基二极管吗？

肖特基二极管 ?

40V 还是 50V 以下的电子城有现货

[编辑本段]怎样消除效应
　　要消除这种效应，有两种方法，一是采用小电流深度放电（如用 0.1C 放至 0V ）一是采用大电流充放电（如 1C ）几次。
　　在实际应用中,消除记忆效应的方法有严格的规范和一个操作流程.操作不当会适得其反.
　　对于镍镉电池,正常的维护是定期深放电:平均每使用一个月(或30次循环)进行一次深放电(放电到1.0V/每节,老外称之为 exercise),平常使用是尽量用光电池或用到关机等手段可以缓解记忆效应的形成,但这个不是exercise,因为仪器(如手机)是不会用到 1.0V/每节才关机的,必须要专门的设备或线路来完成这项工作,幸好许多镍氢电池的充电器都带有这个功能.
　　对于长期没有进行exercise的镍镉电池,会因为记忆效应的累计,无法用exercise进行容量回复,这时则需要更深的放电(老外称recondition),这是一种用很小的电流长时间对电池放电到0.4V每节的一个过程,需要专业的设备进行.
　　对于镍氢电池,exercise进行的频率大概每三个月一次即可有效的缓解记忆效应.因为镍氢电池的循环寿命远远低于镍镉电池,几乎用不到recondition这个方法.
　　建议1:每次充电以前对电池放电是没有必要,而且是有害的,因为电池的使用寿命无谓的减短了.
　　建议2:用一个电阻接电池的正负极进行放电是不可取的,电流没法控制,容易过放到0V,甚至导致串联电池组的电池极性反转.




一般就是 放到 1V   3个月次   我这次要进行的 的 是  深深深度的~~~要放到 0.4V    刚好是2个二极管的电压降 0.36~0.4V