IGBT电磁炉上有,忘了型号!记得参数,1200v25A
可控硅,我用BCA60-1600,参数30-35A耐压1600v
可控硅,我用BCA60-1600,参数30-35A耐压1600v
引用第13楼hambaby于2009-06-27 16:21发表的 :
1670W的耗散功率,对应TO-3P封装的管子几乎是不敢想象的,就算打个半折,也要用强迫循环水冷系统。
引用第15楼FBI于2009-06-27 17:05发表的 :
對了 特別說下 我做了VTTC
電弧果然個性十足
雖然有點短...
引用第16楼TUNGUSKA于2009-06-27 19:14发表的 :
TO-264或者没螺丝眼的TO-247,比TO-3P大不少,一般来说晶体管的标称功耗是恒温25度的数据,不论任何手段的恒温,这1670W功耗估计要依托压缩机制冷之类的强力散热才能发挥出来.
引用第17楼TUNGUSKA于2009-06-27 19:16发表的 :
VTTC?用那833做么,以那东西的价格,我想换十个FU-5会更强.
引用第18楼hambaby于2009-06-27 19:20发表的 :
修正下,鬼佬的晶体管的标称极限耗散功率,是管壳温度恒温25度的数据,不是散热器温度。
发挥到极限,大概需要循环提供冷冻盐水的机组了……
引用第22楼FBI于2009-06-28 09:58发表的 :
VTTC?用那833做么,以那东西的价格,我想换十个FU-5会更强.
FU-5那么多個腳 怎么接啊
.......
引用第24楼lovevirus于2009-06-28 11:16发表的 :
弄了个boost升压电路,现在只能升到300左右,再上就很慢了,电容用的400v125uf的,mos管用的irf630,用的单片机输出的脉冲,而且,mos管很热,不知道大家有么好的办法。
引用第24楼lovevirus于2009-06-28 11:16发表的 :
弄了个boost升压电路,现在只能升到300左右,再上就很慢了,电容用的400v125uf的,mos管用的irf630,用的单片机输出的脉冲,而且,mos管很热,不知道大家有么好的办法。
时段 | 个数 |
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{{f.startingTime}}点 - {{f.endTime}}点 | {{f.fileCount}} |
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