要用快恢复的，否则高压都造成了击穿，二极管却还没有导通
最好再加上火花间隙，压敏电阻，TVS二极管，RC吸收网络，才能保证IGBT关断下的安全
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最好再加上火花间隙，压敏电阻，TVS二极管，RC吸收网络，才能保证IGBT关断下的安全
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引用第1楼warmonkey于2009-03-30 20:00发表的 :
要用快恢复的，否则高压都造成了击穿，二极管却还没有导通
最好再加上火花间隙，压敏电阻，TVS二极管，RC吸收网络，才能保证IGBT关断下的安全
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~~~ 显显 上个图 吧 我看怎么样接上
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引用第1楼warmonkey于2009-03-30 20:00发表的 :
要用快恢复的，否则高压都造成了击穿，二极管却还没有导通
最好再加上火花间隙，压敏电阻，TVS二极管，RC吸收网络，才能保证IGBT关断下的安全
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我觉得这里有个误区，虽然快恢复是可以，但快恢复一般功率不大……只要求快导通，至于恢复快不快其实没有关系，我印象中D的性质是把这两个分开的。这个参考二极管的datasheet就可以了
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