本帖最后由 liunian198 于 2013-9-25 16:24 编辑





这个是单片机I/O口的输出波形。



这是I/O口和电容放电同时接入的波形

奇怪的是接电容放电时也没什么明显变化，不知什么原因
是不是因为接电容时并了一个2m的电阻啊




这个是50v 4700uf 电容20个，在电压45v左右的放电曲线

大家谁帮我解释下为什么会有个向下的V行峰值？

顺便说一下最近几天断断续续低压测试的一些结果吧，弹丸5.2mmX31mm  5g（变压器硅钢片上固定用的螺丝切的），

用63v，1000uf，20个并联，加63v10000uf，3个并联：目前测得最大单级效率为5%，二级以上还没条件测，自己焊的mic4417mos驱动电路老是出问题。


50v ，4700uf ，20个并联：单级最大效率4%，测试的线圈只有两三个，用的还是以前scr控制用的线圈，0.6mm，2.9cm，7层，回头再缠几个测试一下，该组电容2级最大效率7%。




以上第一级消耗能量都在12J一下，初速也都在14m/s一下，第二级开始消耗能量都在7J一下了。感觉并不是线圈圈数越少效率越高，反而是线圈越少放电越快，单级消耗能量多了，子弹动能也增大了，但效率反而并没有增加，可能还是vcasm兄说的，电容内阻问题吧。