很久没有时间搞制作了，近来又见海量电容、巨型平板硅以及IGBT即将沦为炮灰，不忍各位伤神耗时烧银子，发表几点意见：
一、假设线圈长度为4CM,发射速度为40M/S，经过半个线圈的时间约为1MS，电容和线圈组成的LC震荡电路的半周期应该也在1MS左右。
       线圈300-400圈，电容300-500UF基本满足需要，加电容则减线圈，加线圈则减电容加电压。海量电容或能稍微增加速度，随之而来的是效率暴减。
二、假设无能量损失，线圈储能为0.5*L*I*I,即使采用1000V的发射电压，电流峰值也一般不会超过100A，平板硅可以用但不必过大。
三、多级发射速度超过80M/S时，子弹穿过线圈的时间小于0.3MS，LC电路匹配大约是100圈线圈加100UF电容，如果无关断三级以上加速根本无意义。
四、IGBT使用相当苛刻，不是加速器的最佳选择，非专业级玩家建议忽略之。或有不足之处欢迎拍砖，电容关断式、行波式、气体放电管触发、自恢复保险丝关断、紧密多级都曾细致分析，可操作性也均超过IGBT方式。