恩 本菜鸟也想学习中。
还有很多不解的地方。
比如弹丸在初速度底的时候，线圈是否应该多一些、细一些“力量”大一些？
越往后应该线圈是否应该少一些、粗一些、“速度”快一些？
要不要“收集”些感应电来增加效率？
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这是磁阻式电磁枪的基本问题。明白了普通L-R-C回路的基本特性和电机学原理，应该一目了然了。
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我是这样理解的：
首先：在静态磁场情况下，因为磁场强度和安匝数成正比，如果有两个线圈A、B体积形状一样，但A线圈的圈数是B线圈的十倍，在A、B线圈产生同样磁场强度的情况下（A、B线圈携带同样的磁场能量），A线圈的电流只有B线圈电流的十分之一，A线圈的电阻却是B线圈电阻的100倍，这样在同样通电时间情况下，线圈A、B上的电阻损耗是一样的。
其次：在动态磁场情况下，因线圈A、B体积形状一样，在产生同样磁场强度的情况下（A、B线圈携带同样的磁场能量），同一个铁磁弹丸通过线圈A、B获得的加速度和过中点出口速度是一样的。铁磁弹丸因在线圈A、B中感应的磁场一样，所以线圈A、B在铁磁弹丸通过时产生的反感电动势不一样，线圈A是线圈B的十倍。
结论：静态磁场情况下线圈A、B的效率是一样的，动态磁场情况下线圈A的效率要高于线圈B。
欢迎高手指正！
首先：在静态磁场情况下，因为磁场强度和安匝数成正比，如果有两个线圈A、B体积形状一样，但A线圈的圈数是B线圈的十倍，在A、B线圈产生同样磁场强度的情况下（A、B线圈携带同样的磁场能量），A线圈的电流只有B线圈电流的十分之一，A线圈的电阻却是B线圈电阻的100倍，这样在同样通电时间情况下，线圈A、B上的电阻损耗是一样的。
其次：在动态磁场情况下，因线圈A、B体积形状一样，在产生同样磁场强度的情况下（A、B线圈携带同样的磁场能量），同一个铁磁弹丸通过线圈A、B获得的加速度和过中点出口速度是一样的。铁磁弹丸因在线圈A、B中感应的磁场一样，所以线圈A、B在铁磁弹丸通过时产生的反感电动势不一样，线圈A是线圈B的十倍。
结论：静态磁场情况下线圈A、B的效率是一样的，动态磁场情况下线圈A的效率要高于线圈B。
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不论用什么方法分析，都可以殊途同归。线圈匝数增加直接导致线圈电抗增加，L-R-C回路固有周期变长。
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按照目前的做法都是直接切断，防止影响子弹过中点后有影响。
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自己先拍自己一砖，嘿嘿！
上贴所分析的不完善，造成结论不正确，接着分析。上面说了（在动态磁场下，铁磁弹丸因在线圈A、B中感应的磁场一样，所以线圈A、B在铁磁弹丸通过时产生的反感电动势不一样，线圈A是线圈B的十倍。），但是，线圈A的电流只有线圈B的十分之一，所以，线圈A、B在动态磁场下对同一个铁磁弹丸做的机械功也是一样的，热损也一样。
结论：静态磁场情况下线圈A、B的效率是一样的，动态磁场情况下线圈A、B的效率也是一样的。所以对于新手来说，要牢记同体积同形状的线圈，粗细效率都一样。选用线圈的规则是，根据自己使用的电压，电源的内阻，开关器件的极限电流，所需过中点的时间等来匹配线圈的多少和粗细。如果电压，电源的内阻，开关器件的极限电流满足需要，用斩波恒流的方式可以不考虑线圈的粗细。多级的情况道理同上，可以根据自己的实际情况决定是否调整线圈的粗细。
欢迎高手指正！
上贴所分析的不完善，造成结论不正确，接着分析。上面说了（在动态磁场下，铁磁弹丸因在线圈A、B中感应的磁场一样，所以线圈A、B在铁磁弹丸通过时产生的反感电动势不一样，线圈A是线圈B的十倍。），但是，线圈A的电流只有线圈B的十分之一，所以，线圈A、B在动态磁场下对同一个铁磁弹丸做的机械功也是一样的，热损也一样。
结论：静态磁场情况下线圈A、B的效率是一样的，动态磁场情况下线圈A、B的效率也是一样的。所以对于新手来说，要牢记同体积同形状的线圈，粗细效率都一样。选用线圈的规则是，根据自己使用的电压，电源的内阻，开关器件的极限电流，所需过中点的时间等来匹配线圈的多少和粗细。如果电压，电源的内阻，开关器件的极限电流满足需要，用斩波恒流的方式可以不考虑线圈的粗细。多级的情况道理同上，可以根据自己的实际情况决定是否调整线圈的粗细。
欢迎高手指正！
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以下是引用阿丕在2008-1-18 23:14:39的发言：
小绕数,大电流,迅速截断.
硬道理.
看来阿丕是不同意我的结论了。
线圈形状体积相同时，大绕数，小电流，迅速截断，也是硬道理，
它们不同的地方就是所需电压不同，一个是低电压，一个是高电压。对大绕数，小电流来说控制器件的电流要求低，电压要求高（如果用可控硅控制的话，3A的就够了，在斩波恒流时可以考虑用高压功率mosfet，开关速度比igbt可是要快多了）电源内阻要求低。嘿嘿！
当然，缺点是线圈细了多了不好绕，绝缘也难做。
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重要的是起始阶段的dB/dt，做到在弹丸通过线圈中点前磁链积分最大，用初等数学的话说是电流×匝数——时间曲线下面，截断点之前的面积最大。按照电感的暂态响应方面的理论，为了扩大面积，必须少绕数，高电压。
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CG2007电磁枪,20级加速得到66M/S的弹丸速度,MOSFET.用大绕数小电流的方法
同样的EMR0260S03HBP1TA,3级加速达到了40.8M/S,IGBT驱动.
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从上面两种方式的对比，经过计算，单级igbt是单级mosfet安匝数的2.55倍。实际上igbt在高压大电流下可以控制的安匝数要远大于mosfet，可控硅又远大于igbt（缺点是关断不易且开关速度低，适用范围有限）。用mosfet控制高电压、小电流的好处就是利用它的高速开关来斩波恒流，以提高效率，这种模式特别适合发射体积相对较小、尺寸较短的铁磁弹丸。其实，用什么器件控制最好并没有定论，关键在于所设计的方案。
其实我在七楼已经说的很清楚了。扔砖头的请继续！
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以下是引用ymt10在2007-12-4 23:17:41的发言：
大家可否详细讨论一下这个实际的问题：子弹通过线圈时，线圈中电流很大，子弹通过线圈后该如何处理这些电流。如果处理不好，在子弹通过线圈后会使子弹减速。。。
这个问题其实是非常有趣的问题，俺先来扔几块转头！
1.过中点之前提前关断，线圈电流通过续流二极管自然衰减到零。适合多级时速度较快反感电动势较高的后几级时用。
2.过中点之前时关断，用压敏电阻钳位并快速把线圈所储的磁能放掉。电路简单，效率较低。
3.过中点之前时关断，用桥式电路控制并回收磁能或用双电源回收磁能。
4.还有像阿丕所用的处理模式等。
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我们现在都是直接给弹丸加速的,速度提不上去,就顿死在这里了吗?我们依然可以用常规武器的 气动, 不过 是用 电磁力给活塞加压的!!!
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