从上面两种方式的对比，经过计算，单级igbt是单级mosfet安匝数的2.55倍。实际上igbt在高压大电流下可以控制的安匝数要远大于mosfet，可控硅又远大于igbt（缺点是关断不易且开关速度低，适用范围有限）。用mosfet控制高电压、小电流的好处就是利用它的高速开关来斩波恒流，以提高效率，这种模式特别适合发射体积相对较小、尺寸较短的铁磁弹丸。其实，用什么器件控制最好并没有定论，关键在于所设计的方案。

其实我在七楼已经说的很清楚了。扔砖头的请继续！