不是吧?并联怎么会多余呢?我还指望通过并联来提高耐流呢!
话说第一次使用可控硅时没注意计算电流结果挂了三个,一个18快大洋[s:94]
话说第一次使用可控硅时没注意计算电流结果挂了三个,一个18快大洋[s:94]
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可控硅并联的问题
前段时间，我用三个btw69并联，电容组（400V470ufx7）可以成功射穿两个易拉罐。
后来那三个可控硅因为一次意外坏了，于是我买过了一个，单独使用。
测试10v-150V都很正常，说明我连接没问题，但是电压一到200V，可控硅就挂了，正向击穿
问题就来了，同种型号的可控硅，为啥并联时比单独使用好得多呢？
而且很多人都劝我：可控硅并联是多余的，无法同时出发，甚至可能形同虚设。如果真是这样，那我的实验现象如何解释呢？
另外 我的发射管是铜的，外部包了一层厚塑料 电容和可控硅离管子进，线圈在管子后方，并未套入，电磁感应的干扰会有影响吗？
希望有人能够解答这些问题呀~
后来那三个可控硅因为一次意外坏了，于是我买过了一个，单独使用。
测试10v-150V都很正常，说明我连接没问题，但是电压一到200V，可控硅就挂了，正向击穿
问题就来了，同种型号的可控硅，为啥并联时比单独使用好得多呢？
而且很多人都劝我：可控硅并联是多余的，无法同时出发，甚至可能形同虚设。如果真是这样，那我的实验现象如何解释呢？
另外 我的发射管是铜的，外部包了一层厚塑料 电容和可控硅离管子进，线圈在管子后方，并未套入，电磁感应的干扰会有影响吗？
希望有人能够解答这些问题呀~
并联没用的
和二极管并联一样,除非你匹配好,否则因为压降不同,电流会集中在一个可控硅上
功率器件好像只有MOS和SIT并联效果明显
和二极管并联一样,除非你匹配好,否则因为压降不同,电流会集中在一个可控硅上
功率器件好像只有MOS和SIT并联效果明显
引用
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可控硅，跟晶闸管有什么区别啊？
我用的是白色的，陶瓷外表，圆柱体，底部有两个触发极的那个东西。我觉得这东西主要指标在通流能力上，耐压只要高于你可能加到的最高电压即可。
东西可能一百元以上。没有必要并联这东西吧！！！！完全不应该这样做。
我用的是白色的，陶瓷外表，圆柱体，底部有两个触发极的那个东西。我觉得这东西主要指标在通流能力上，耐压只要高于你可能加到的最高电压即可。
东西可能一百元以上。没有必要并联这东西吧！！！！完全不应该这样做。
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