整个过程已经调整好了,只有一级在导通状态,前一级处于能量回收阶段,前一级相关的mos管都是关断的。关于第一级平顶,
是加了电阻的,可能电阻比较小,依旧是参考第一篇帖子给得单匝电阻*匝数算的
前段时间看到了一篇关于行波加速仿真计算的文章:XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/88351[1],觉得很有意思,于是就用Maxwell仿真了一下,结果如下:
由于精力有限,只仿真了前14级,加速材料为DW540_50硅钢,不考虑涡流,外形电路参数参考原文。得到的图像结果与文章基本一致,有些地方甚至更好,唯一不同的就是电容电压下滑曲线,出现快速下降至平台后再线性下降的特征,与原文线性波动下降不同,这可能与实际电枢运动有关。
另外,参考文章中电路方程中Vdio是指代什么,希望作者看到后能够解答。
由于基于仿真和理论的行波加速方案实在过于优秀,所以笔者决定尝试制作,以验证理论。原文中作者使用了40级加速至120m/s,经过我的不懈努力,调整线圈匝数,成功将加速级数缩减至16级,滑块从0开始加速至111m/s,减少了电路复杂度及成本。但是电路的瞬时脉冲电流也上升到了接近1k,为选型带来了巨大的麻烦。仿真结果如下:
在电路上,模仿矩阵键盘的电路,使用矩阵式电路来控制线圈的通断,电路如下:
这里是3*3的矩阵,实际使用4*4的矩阵电路,参考了三水合番的设计[2],其实是一开始没考虑到线圈上的二极管,看了文章后才知道。实际应用该电路时出现了以下问题:
1.为了兼顾体积和布线,目前使用10A10作为电路中的二极管,其Icm为600A(8.3ms),不清楚是否足够?也可以推荐更适合的二极管。
2.IGBT使用了IXXX200N60B3,但是看了最近的关于IGBT的极限性能[3]这篇帖子后,发现这个管子也是艾赛斯产的,文章中提到该品牌存在虚标现象,而在该电路中,管子需重复承受冲击,对性能要求更高。不知有无大佬对这款管子做过测试?是否有替代品可选?
3.另外,不知道下图的电路是否可以作为IGBT的驱动?IGBT发射极和栅极之间是否需要加几千欧的电阻(我看有些设计加了有些没加)?萌新第一次画高压电路,不熟悉。
结构方面,装载了换弹结构,但是可用空间太小了(25*30*60),舵机体积太大,目前的连杆结构紧贴zvs变压器外壁,感觉不太行,有人可以给出改进方案吗?
另外,尽管是使用单片机控制的时序磁阻炮,但我还是再加速过程中增加了部分光电管测速,使用透明PVC管可以不钻孔吗?使用不锈钢管哪里可以代钻孔的?(我没有钻孔设备,并且钻孔位置不是规律性的)
萌新第一次发文,欢迎各位大佬批评指正。
[1]coulson21 行波加速器的仿真计算流程 XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/88351
[2]三水合番 磁阻式电磁炮的脉波加速方案以及一种低成本工程实现 XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/81534
[3]书呆子lhj 关于IGBT的极限性能 XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/88618
矩阵开关只能同时控制一级。如果只用一个矩阵的话,需要拉大各个线圈的间距,保证在上一级关断之后,下一级...
整个过程已经调整好了,只有一级在导通状态,前一级处于能量回收阶段,前一级相关的mos管都是关断的。关于第一级平顶,
是加了电阻的,可能电阻比较小,依旧是参考第一篇帖子给得单匝电阻*匝数算的
线圈电阻不是“单匝电阻*匝数”,是“单匝电阻*匝数的平方”矩阵开关哪里你是这么操作的吗:以顶楼那张m...
“矩阵开关哪里你是这么操作的吗:以顶楼那张multisim的电路图为例,第一级导通q1,q4,第二级导通q2,q5,以此类推。这样确实可以同时进行关断和导通。”对的,按线圈编号依次操作。
“单匝电阻*匝数的平方”这个是为什么?考虑半径变化的话也不是这么算的呀?
增加匝数到原来的n倍,会让导线截面积变成1/n,同时会让导线长度变成n,乘起来就是电阻变成n2
哦哦,我有点误解原文的意思了,还以为那是线径一定下单位长度的电阻,看来得重新跑一下仿真了,谢谢
新拓扑发布:全桥谐振关断磁阻(理论篇) - 科创网 (XXXXXXXXXXXX)类似三水合番说的,可...
IGBT GE之间加电阻的作用可以防止在PWM信号驱动死区或者是在信号意外丢失之后,
Cis之间的电容没有泄放路径,
如果本身驱动线路是空闲状态低阻就可以不加,如果考虑系统鲁棒性可以加上一个对驱动信号内阻而言影响不大的泄放。
好的,谢谢。
在修正三水合番指出的电阻过小的问题后,是130mm的长度下加速,线圈长度128mm,用的是8*16的钢销,目前仿真速度102mps,能量利用效率20%,比之前小太多了。主要是第一级受电阻影响比较大。
时段 | 个数 |
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