单管自激频率这么低？而且200v其实可以直接上桥了，发热低，电弧长
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楼主这个单管自激怎么实现灭弧的？难道是充电电路间歇工作？
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补上这个电路图
这个电路最初是在b站压敏菌XXXXXXXXXXXXXX/BV1H4411G7Tp/p1那里看到的。我猜测应该是坛友@fleefly的视频。
原理上个人感觉是zvs对电容充电，达到一个值，经过电阻分压后，场馆开通，次级反馈达到短时间的谐振。电容放电后电压下降，分压不足以开通。这就是一次放电。然后循环这个过程。
这个工作过程也只是猜测，不一定正确。
工作起来很不稳定，有时候按下开关能连续放电。但经常出现不能连续发射电弧的问题。这时候只能手动开关才能出电弧。另外这个电路的场馆损耗大，发热非常严重。
场管工作电压取决于r5r6的比值。电压高电弧长。但太大的话电流会击穿场管，我也试了其他高压大电流的管子，效果都差不多。通常是电压充到200v左右放电，放电后电容能剩余70v左右。
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补上这个电路图这个电路最初是在b站压敏菌XXXXXXXXXXXXXX/BV1H4411G7Tp/p1...
提出个电路图上的小问题，这个地方看起来是依靠1N4744A来实现击穿稳压管
给电路一个初偏，正常工作起来之后，栅极G高低电平分别钳位在-0.7，+15V的幅度
可以考虑换成1N5819，钳位在前面的12V电源轨，这样有正负驱动，更彻底。
这就是个VTTC 的MOS版本，可以考虑把上面的1N4744A换成电压更高的稳压管。
这个稳压管的作用仅仅是点火，而工作类型是由反馈强度决定的
所以提高触发电压可以有效降低工作失败率
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提出个电路图上的小问题，这个地方看起来是依靠1N4744A来实现击穿稳压管给电路一个初偏，正常工作起...
需要用DB3之类触发管做个触发电路，否则电源充电过程场管处于放大区逐渐过渡到起振要白白
消耗大量能量。
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需要用DB3之类触发管做个触发电路，否则电源充电过程场管处于放大区逐渐过渡到起振要白白消耗大量能量。
他这个有一个次级线圈选频后的放大系数，随着反馈的逐渐加强，工作状态会变，
有一个逐渐从A放大到C类的过程，如果直接在开关区工作，对全频段放大作用都会很极端
就要几个引导方波来启动，否则可能锁到谐波上去。
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他这个有一个次级线圈选频后的放大系数，随着反馈的逐渐加强，工作状态会变，有一个逐渐从A放大到C类的过...
触发电路也可以加个比较大的RC控制偏压上升的斜率，几毫秒时间逐渐从A类到C类。
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补上这个电路图这个电路最初是在b站压敏菌XXXXXXXXXXXXXX/BV1H4411G7Tp/p1...
可以用碳化硅的MOS管，这样电解电容的电压可以提高到350V以上。把上面的稳压管换成350V的P6KE350CA，双向的焊的时候不用管方向，然后100K电阻和5K电阻位置互换。SiC MOS管可以用C2M0080120，实测耐压可以到1600~1700V，如果有0040120的可能更好。
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