MOSFET高端驱动问题
veazhang2015/11/08电磁炮 IP:上海
大家好!
我最近在尝试制作低压线圈炮,因为是低压系统,所以使用的器件就是MOS管。
不过在MOS驱动设计中,遇到了一个问题,就是需要把MOS管放在高端(原因另案讨论)。


经过一番寻找,找到了IR2117等带自举的MOS Driver,
同时又遇到了另外一个问题:类似这种管子,都是通过一定频率(100K)左右的PWM来驱动的,
这样就要对输入信号再次处理(比方说接555)


想向大家请教下,是否有比输入-》55-5》Driver》MOS 使用器件更少,体型更小或相当的方案?
IC或者电路皆可。


Изображение.gif

本来想要的方案是这样的[s::lol]


BTW:至于使用低端驱动,和PWM驱动2117的,属于另案。


谢谢大家~~~
来自:物理高能技术 / 电磁炮
15
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~~空空如也
veazhang 作者
9年2个月前 IP:上海
796213
引用 qxd3333:
因何放上面呢 这样会很麻烦的  且意义不大
不过在MOS驱动设计中,遇到了一个问题,就是需要把MOS管放在高端(原因另案讨论)。
BTW:至于使用低端驱动,和PWM驱动2117的,属于另案



[s::handshake]
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veazhang作者
9年2个月前 IP:上海
796312
引用 三水合番:
额,刚发现ir2117就是专业的驱动芯片…
原来楼主是想用555产生pwm驱动mos做电磁加速,然而这样做对于这种应用貌似没有意义,反而会极大的加重管子的负担,如果不是有什么特殊的神奇的方案的话不建议这么做,如果楼主要做的是低压磁阻式的话尤...
其实做什么都是次要的, 主要是在研究NMOS的高端驱动实现而已  
线圈炮的实现里放了很多没用的东西, 都是为了实验而已。

2117是一个有自举的片子, 他靠VB VS的电容来升压, 这就要求开启必须是脉冲形式,
它会在输入关闭的时候给电容充电, 然后再输入开的时候消耗电容的能量来提高Vbs Vgs。

现在我是用单片机输出了pwm驱动了2117,但是单片机的计算能力耗尽了(还驱动大彩屏,ADC,两个小OLED,测速等等很多东西), 所以要用独立的555来驱动2117.

总觉得这样来高端驱动MOS很奇葩, 这种开关形式的驱动,不知道是否还有更好的方案,
仅仅是觉得不完善,寻求更好的方案,和用在线圈炮上是否合适,没有任何关系的。

请多指教[s::handshake]
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veazhang作者
9年1个月前 IP:上海
796442
目前的选择是, 需要High side 驱动的地方 换成PMOS
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veazhang作者
9年1个月前 IP:上海
796489
引用 三水合番:
PMOS?那个需要放在高端的mos是用来驱动线圈的,还是用来做别的什么的?
用来控制电容充电的, 电容-需要共地,这个是方便进行ADC的单片机 共用同一套电源
如果充电放低端  电容用单片机来测电压的- 就很难搞了
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veazhang作者
9年1个月前 IP:上海
796544
引用 金坷居士:
英飞凌有磁隔离的芯片 老夫试用过 还挺好的 低延迟 不过价格就有点...
求个型号
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veazhang作者
9年1个月前 IP:上海
796546
引用 三水合番:
额,我理解成驱动线圈的mos了……控制电容充电貌似用不上irfp4004这么暴力的管子吧?
楼主是要做buck吗?这种用途的话应该可以直接555或者其他常见的电源芯片自举,加ir2117是出于哪方面的考虑?
本来是用NMOS,高端驱动的话就必须有自举, 2117就带这个功能。
换PMOS应该可以不用了,而且充电端不用太高的开关速度,直接光耦驱动足矣。MOS管驱动不需要多少电流。

是在做线圈炮
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