级数 距离  容量  电压  出速  动能  线圈长 圈数  效率
1    25.5  400   720   34.1  1.6   34     405   1.57
2    38    200   720   46.9  3.0   36     390   2.82
3    47    200   720   57.5  4.6   37     393   3.04
4    48    200   720   66.4  6.1   39     363   3.15
5    50    200   720   74.5  7.7   40mm   343   3.22
6    54    200   720   82.1  9.4   41     332   3.26
7    55    200   720   89.2  11.1  42     322   3.32
8    54.5  200   720   95.9  12.8  43     305   3.36
9    52.5  200   720   102   14.6  44     285   3.38
注：0.7mm铜线  9mm珠  等效长度7.8直径7.8  
    外10mm内9mm不锈钢.可以不开槽.影响很小.

引用 22X220:
级数 距离  容量  电压  出速  动能  线圈长 圈数  效率
1    25.5  400   720   34.1  1.6   34     405   1.57
2    38    200   720   46.9  3....

720V嘛... 改成用780V仿真看看如何?
(雙400V串聯最高可以充到800V)
(抱歉，我的WINDOWS 8 開不了這個軟件...)

每层的线圈数都不是整数，这样模拟出来的不准

个人认为串电容好处并不大，和并联电容增加线径比区别不大。
因为把两个电容串联容量是并联时的1/4，内阻是并联时的4倍。
线圈外形相同的情况下，如果用截面积是并联时1/2的线来绕制线圈，匝数是原来的2倍，那么将会得到4倍的电感量和4倍的线圈电阻。
这样做的话电流大小是并联时的1/2，持续时间不变，电阻是原来的4倍。被电阻消耗的能量和原来没有区别，安匝数也没有区别，也就是说对性能没有影响。
然而更细的线径意味着绝缘层占的比例更大，算上这个的话电阻消耗的能量其实会更大。

楼主思路和鄙人一模一样，楼主计算结果，还需要在速度计指示下调节圈数。

1--2--3级速度，和我差不多。

引用 a2287504358:
720V嘛... 改成用780V仿真看看如何?
(雙400V串聯最高可以充到800V)
(抱歉，我的WINDOWS 8 開不了這個軟件...)

400v电解电容超过360V坏的快,就像铅酸电池过充电一样.只是不会马上坏而已.改成780V只是提高一点点速度.比如第1级,速度从34.1升到34.8.

引用 zhanglei:
每层的线圈数都不是整数，这样模拟出来的不准

不是整数是因为这个圈数效率最高.效率也是很重要的.

引用 三水合番:
个人认为串电容好处并不大，和并联电容增加线径比区别不大。
因为把两个电容串联容量是并联时的1/4，内阻是并联时的4倍。
线圈外形相同的情况下，如果用截面积是并联时1/2的线来绕制线圈，匝数是原来的2倍，那么将会得到4倍的电感量和4倍的线...

(把两个电容串联容量是并联时的1/4，内阻是并联时的4倍)这句话是错误的,电容串联,电压升高2倍,容量降低2倍.比如2个400V470uF电容串联,就变成1个800V235uF的电容了.
对于720V的电压来说,线圈那点电阻根本不值一提,主要负载是感抗(交流的等效电阻).恰恰相反,高电压相对低电压来说对电容内阻和线圈电阻更加不敏感.就像高压输电一样,如果直接220V的话,那要多粗的电线?
我们都知道线圈的磁场强度与电流大小成正比,还有一点大家容易忽略,那就是线圈的圈数.720V的目的不是要大电流(电流被可控硅限制了,再大可控硅受不住),而是要更多的圈数.

引用 人民战争:
楼主思路和鄙人一模一样，楼主计算结果，还需要在速度计指示下调节圈数。

1--2--3级速度，和我差不多。

你做出来了?是800V?第3级速度多少?

引用 22X220:
(把两个电容串联容量是并联时的1/4，内阻是并联时的4倍)这句话是错误的,电容串联,电压升高2倍,容量降低2倍.比如2个400V470uF电容串联,就变成1个800V235uF的电容了.
对于720V的电压来说,线圈那点电阻根本不值一提,...

那句话楼主理解错了，我的意思是，比如说两个400v，470uf的电容，并联是940uf，串联是235uf，所以我说”把两个电容串联容量是并联时的1/4”
输电和绕线圈不一样，输电的时候导线长度是固定的，自然是电压越高越好。而绕线圈的时候，导线的体积是固定的，用更细的导线就需要更多的匝数，更长的线，线圈电阻是与导线截面积的平方成反比的，考虑到这一点的话，高压细线并不比低压粗线有优势（不过说细线比粗线好绕不少）
磁场强度和安匝数正相关，然而前面已经提到，这一点上串电容并不比并电容有优势。

引用 三水合番:
那句话楼主理解错了，我的意思是，比如说两个400v，470uf的电容，并联是940uf，串联是235uf，所以我说”把两个电容串联容量是并联时的1/4”
输电和绕线圈不一样，输电的时候导线长度是固定的，自然是电压越高越好。而绕线圈的时候，导...

是我理解错了.
再说说电流,现在我们一般用75A的可控硅,电流越大越容易坏.________________如说两个400v，470uf的电容，并联是940uf，串联是235uf，__________________我们在第2级比较一下,并联940uF,为了获得最大效率,需减少线圈圈数,结果电流从266A增加到400A,到后几级电流还要增加,我们的可控硅表示对于650A的电流有压力.但是在720V的情况下第9级最大电流450A,我们的可控硅表示还吃得消.

引用 22X220:
是我理解错了.
再说说电流,现在我们一般用75A的可控硅,电流越大越容易坏.________________如说两个400v，470uf的电容，并联是940uf，串联是235uf，__________________我们在第2级比较一下,并...

有道理，只用三四百伏是有点浪费可控硅耐压了。

引用 三水合番:
有道理，只用三四百伏是有点浪费可控硅耐压了。

有个东西叫40tps08，峰值700a

第一，你的效率太低
第二，电压太高
第三，铜线太细
第四，钢珠的饱和磁导只有1.4，硅钢才有2.15
最后，你的匝数太多了

引用 spartan117:
第一，你的效率太低
第二，电压太高
第三，铜线太细
第四，钢珠的饱和磁导只有1.4，硅钢才有2.15
最后，你的匝数太多了

效率的确低，最终速度也就是90+

不是指这个效率，我是指你的能量利用效率 2g以上的重弹丸的第一级效率应该至少在1.5以上 再就是你的线太细了 0.7适合做6mm以下的炮 9mm的话还是1比较合适

0.7的铜线可以，关键是做成了没

引用 三水合番:
个人认为串电容好处并不大，和并联电容增加线径比区别不大。
因为把两个电容串联容量是并联时的1/4，内阻是并联时的4倍。
线圈外形相同的情况下，如果用截面积是并联时1/2的线来绕制线圈，匝数是原来的……

所以说这种条件下低压磁感还有更多的优势，那么电流上升率呢？感觉应该都是一样的对吧（感觉是常识，我简直是太懒了。。）