我的想法是：用图腾塔变形后驱动mos管。图腾塔的下面的PNP三极管可以直接用UF4007代替，上面的NPN三极管基极接一个1k欧左右的电阻到对面的D极。振荡后LC回路会产生高于电源电压的电压峰值，这个电压通过1k欧电阻和NPN三极管BC之间的PN结可以储存在一个电容里，并用稳压管稳压，再用这个电容给NPN三极管供电。电路刚接通时可能需要一个二极管加上电阻给电容充一部分电使电路启动。
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楼上这样的方案应该可以改善经典zvs电路空载功率、低压不起振、高频发热的问题。我在multisim模拟过，效果的确很好，G极电压都是直上直下的。。。这样虽然元件数多了些，但是少了两个体积庞大的大功率电阻。
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今天做了电路，蛮失败的。电路可以起振，但是一旦有负载立刻停振。
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10k欧电阻是辅助G级泄放电荷，以及保护静电穿管，不是主要途径但很重要
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对G级的波形整形，不错，zvs的电压高了功率大，效率急剧降低，电压低了，不起振，超300W的波形都乱
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引用 潜伏:泄放的主要途径应该还是快恢复二极管。即使管子G极有1V左右的因为二极管Vf的残留，也不会使管子导通吧。
10k欧电阻是辅助G级泄放电荷，以及保护静电穿管，不是主要途径但很重要
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