引用第1楼jackruru于2012-06-11 13:05发表的 :
感抗>>电阻
虽然感抗>>电阻，但是线圈能达到的最大电流还是电阻来决定的
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安匝数讨论
条件假设：忽略电源内阻，线圈形状相同，那么体积也相同,电压相同，电容相同
定义变量：匝数N,电流I,电阻R,电压U,电容C，电感L，时间T，磁势F,热损W,磁导率μ,线圈长度Len,线圈截面积A
引用公式：
F=NI
T=2Pi(LC)^0.5
L=μNNA/Len
W=IIR
假设第一个线圈匝数N，第二个匝数10N，因为体积相同，那么第二个线圈导线截面积是第一个的1/10,导线长度是第一个的10倍，电阻是第一个的100倍
N2=10N
R2=100R
I2=0.01I
L2=100L
T2=10^0.5T
F2=10N*0.01I=0.1NI=0.1F
W2=0.01I*0.01I*100R=0.01IIR=0.01W
这样结果是，第二个线圈最大电流为第一个线圈的1/100,磁势为第一个的1/10,热损为第一个的1/10。这是我们忽略电源内阻的情况，在有电源内阻的情况下，电流越大，内阻分压越大，效率越低。
定义变量：匝数N,电流I,电阻R,电压U,电容C，电感L，时间T，磁势F,热损W,磁导率μ,线圈长度Len,线圈截面积A
引用公式：
F=NI
T=2Pi(LC)^0.5
L=μNNA/Len
W=IIR
假设第一个线圈匝数N，第二个匝数10N，因为体积相同，那么第二个线圈导线截面积是第一个的1/10,导线长度是第一个的10倍，电阻是第一个的100倍
N2=10N
R2=100R
I2=0.01I
L2=100L
T2=10^0.5T
F2=10N*0.01I=0.1NI=0.1F
W2=0.01I*0.01I*100R=0.01IIR=0.01W
这样结果是，第二个线圈最大电流为第一个线圈的1/100,磁势为第一个的1/10,热损为第一个的1/10。这是我们忽略电源内阻的情况，在有电源内阻的情况下，电流越大，内阻分压越大，效率越低。
虽然感抗>>电阻，但是线圈能达到的最大电流还是电阻来决定的
引用
假如体积形状相同，我们为获得相同的安匝数又会怎么样呢
线圈2的匝数是线圈1的10倍，要获得相同的安匝数，线圈2的电流是线圈1的1/10,又因为线圈2的电阻是线圈1的100倍，那么线圈2的电压是线圈1的10倍
N2=10N
I2=0.1I
R2=100R
U2=10U
W2=I2^2R2=(0.1I)^2*100R=I^2R
由此可见，如果体积形状相同的线圈，在安匝数相同的情况下热损是一样的，但是匝数多的电压高
我们再来看看LC常数，要获得相同的能量，线圈2的电压是线圈1的10倍，那么线圈2的电容可以是线圈1的1/100，但是因为线圈2的匝数是线圈1的10倍，线圈2的电感是线圈1的100倍
L2=100L
C2=0.01C
L2C2=100L*0.01C=LC
可见，如果体积形状相同的线圈，在安匝数相同能量相同的情况下，LC常数是一样的
线圈2的匝数是线圈1的10倍，要获得相同的安匝数，线圈2的电流是线圈1的1/10,又因为线圈2的电阻是线圈1的100倍，那么线圈2的电压是线圈1的10倍
N2=10N
I2=0.1I
R2=100R
U2=10U
W2=I2^2R2=(0.1I)^2*100R=I^2R
由此可见，如果体积形状相同的线圈，在安匝数相同的情况下热损是一样的，但是匝数多的电压高
我们再来看看LC常数，要获得相同的能量，线圈2的电压是线圈1的10倍，那么线圈2的电容可以是线圈1的1/100，但是因为线圈2的匝数是线圈1的10倍，线圈2的电感是线圈1的100倍
L2=100L
C2=0.01C
L2C2=100L*0.01C=LC
可见，如果体积形状相同的线圈，在安匝数相同能量相同的情况下，LC常数是一样的
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对于体积相同，匝数不同的两个线圈A,B当磁势（NI）相同时，各参数如上图所示，可以看到当体积相同，安匝数相同时产生的热损是相同的，达到相同的安匝数时间也是相同的，储能也是相同的，不同的只是电压不同，因此大家只要保证电压和线圈的匹配就可以，达到的效果是一样的
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回 6楼(qq363606096) 的帖子
线圈多了L变大，斜率=U/L,电压要跟着增加才行，L影响电流的斜率，U/R决定最大电流，不要忘了上面的条件，是体积相同，达到的安匝数也相同，体积不变的情况下，匝数多了，电阻肯定增加，要达到相同的安匝数，电压必须增加才有可能达到相同的安匝数，因为电压不变，你电流达不到，安匝数也达不到
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回 8楼(qq363606096) 的帖子
同体积，同安匝数，我们要搞明白为什么要做不同的匝数，匝数高了后电流降低，这时候发射线圈以外的电阻消耗部分会减少（比如电源内阻，开关内阻），电容为了保持相同的能量，电压升高后容量减少，电容的放电率会提高，特别是对电解来说，如果说对于开关管，电压高后可以利用igbt的高电压特性，比如FGA25N120,浪涌才75A，但是可控制的电压可以到1200v，这样在高电压下的安匝数还是不小的，缺点是电压高了危险性增加了，不安全，说白了匝数不同是为了想减少损耗和匹配利用身边的电子元件
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对于电容来说，500v以下是电解的天下，500v以上是薄膜的天下，对于刚开始做来说电压还是限制在450v以下比较好，对于开关初步建议机械-scr-igbt这个顺序来逐步实验，因为开始就用igbt，损失会比较大，反向是通过续流来解决的
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