1、电容量是什么物理概念?电容和线圈连接以后的放电特性是怎样的,数学关系是什么?可控硅的原理是什么?可控硅并联要注意一些什么问题?可控硅失效的主要原因是什么?如何防范?
电容储存能量=C*U*U/2,线圈和电容放电特性这个太复杂,我可不知道,要考虑的因素太多,我只知道,线圈相当于一个电磁铁,子弹在一头被吸过去,在到了另一头会被吸回来,所以电容的储能不能太大,这个可以由充电电压U来控制,我用的调压器控制电压的。试验多次应该能找到比较合理的充电电压值,关于可控硅,由于成本问题,参考了论坛某个前辈的帖子,用多个小电流的并联使用,我并联的时候每个可控硅驱动电阻都是独立的,这应该有好处吧。可控硅以前没用过,不过我想失效应该和线圈的感生电压,还有工作时候最大电流等有关系吧,我在线圈2端反向并了个二极管限制感生电压,工作电流的话,5个可控硅加起来的耐冲击电流还是蛮大的,我觉的能承受的住
电容储存能量=C*U*U/2,线圈和电容放电特性这个太复杂,我可不知道,要考虑的因素太多,我只知道,线圈相当于一个电磁铁,子弹在一头被吸过去,在到了另一头会被吸回来,所以电容的储能不能太大,这个可以由充电电压U来控制,我用的调压器控制电压的。试验多次应该能找到比较合理的充电电压值,关于可控硅,由于成本问题,参考了论坛某个前辈的帖子,用多个小电流的并联使用,我并联的时候每个可控硅驱动电阻都是独立的,这应该有好处吧。可控硅以前没用过,不过我想失效应该和线圈的感生电压,还有工作时候最大电流等有关系吧,我在线圈2端反向并了个二极管限制感生电压,工作电流的话,5个可控硅加起来的耐冲击电流还是蛮大的,我觉的能承受的住
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