1000000000 / ( td ON(ns) + tr(ns) + td OFF(ns) + tf(ns) )

[s:94]

引用第1楼stitch于2010-05-23 10:34发表的 感觉应该是： :
1000000000 / ( td ON(ns) + tr(ns) + td OFF(ns) + tf(ns) )

算出来IRFP250最高大约2.3M？

引用第4楼stitch于2010-05-23 10:43发表的 7M木问题！？ :
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXt/forum/XXXXXXXXXXXXXp?t=120188&highlight=IRFP450&廉价MOS%20FET%20DIY%207MHz%20E类500W%20CW功率放大器

“还是用IRFP260吧，200V，38A，250W过瘾！！Ciss可能稍微大点，但比IRFP450的Ciss好多了，工作在7M没有问题！
我觉得用IRF510的方案比较好，也是500瓦，可以工作到50MHz，并且可以做SSB的功放！……”

7M是260。

不过，貌似260和250…相似度较高……………

场管并没有内在的最高频率这个参数。不像双极型三极管BJT，存在内在存储电荷释放时间常数导致的内在频率Ft。
对于功率场管，问题在于极间电容。只要有合适的射频匹配和阻抗变换，能在计算匹配时把这些电容巧妙地计算在内，并尽量降低电路阻抗以与大电容匹配，也能获得很大的功率增益。
这是我用IRF540制作的功率振荡器，根据参数其振荡频率在10到15MHz之间。供电直流18V。功率无法测量。用漆包线绕成直径1厘米的单环串LED靠近能点亮。用手拿着LED的一脚，用另一脚碰触有交变电压的节点，能点亮。

引用第6楼yearn3guns于2010-05-23 21:06发表的  :
场管并没有内在的最高频率这个参数。不像双极型三极管BJT，存在内在存储电荷释放时间常数导致的内在频率Ft。
对于功率场管，问题在于极间电容。只要有合适的射频匹配和阻抗变换，能在计算匹配时把这些电容巧妙地计算在内，并尽量降低电路阻抗以与大电容匹配，也能获得很大的功率增益。
这是我用IRF540制作的功率振荡器，根据参数其振荡频率在10到15MHz之间。供电直流18V。功率无法测量。用漆包线绕成直径1厘米的单环串LED靠近能点亮。用手拿着LED的一脚，用另一脚碰触有交变电压的节点，能点亮。

总得有个极限吧？？？

“总得有个极限吧？？？”
我这里不好上图，所以没法形象地解释。建议找本模电书，翻到三极管的“PI参数等效模型”那个部分，对比我的文字进行理解。双极管有Ft极限，是因为基区的体电阻，集电结以及发射结的结电容一起构成了一个最小充放电时间常数。这个时间常数取决于管子的制造工艺，与外界无关。即使你把外界参数搞得极度完美，例如用理想电压源驱动基极以实现Cbe的最快充电，集电极用理想电压源做负载以防止Ccb的高频反馈，也绕不开这个RC时间常数。由这个常数决定了三极管有个固有的上限频率。
对于场管，不存在基区体电阻这个概念。虽然也有栅源电容和栅漏电容存在，但是与之匹配的电阻不是内在的，是取决于外电路。也就是说，场管的频率特性取决于其驱动电路。驱动电路的内阻越低，其频率就越高。当然，到底能做到多高，要看你的驱动电路内阻和栅源/栅漏电容构成的时间常数。而这个时间常数不是场管的内在属性。