领先!Samsung发布大容量40nm NAND闪存
mass_lynnxy2006/09/12电子技术 IP:广西
在CPU刚刚迈入65nm制程之际,三星(Samsung)已经开始使用40nm技术生产最新的 NAND 闪存了。三星近日a宣布,三星已经成功研制出首款采用40纳米制程的内存产品32Gb NAND flash,新产品采用了“ Charge Trap Flash ”架构(CTF),不仅可以提高生产和效率,还可以大幅度提供内存的性能 。

  三星介绍,未来它们还将继续研发 30nm和20nm制程的产品。

三星还在这种 32 Gb NAND 闪存的基础上开发了容量为64GB的产品,可以存储64小时的DVD电影(40部)。


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