供电仅18V,LC谐振电压高不起来,放电效果会很差.
通常频率50K的特斯拉线圈高度约2米,顶环直径约1米.
除非做到300KHz以上的频率不得不用MOSFET,否则尽可能用IGBT,损耗较MOS小,如要用MOS也尽量选低压大电流的型号,理论上全桥电路中开关管耐压只需比电源电压高即可.
通常频率50K的特斯拉线圈高度约2米,顶环直径约1米.
除非做到300KHz以上的频率不得不用MOSFET,否则尽可能用IGBT,损耗较MOS小,如要用MOS也尽量选低压大电流的型号,理论上全桥电路中开关管耐压只需比电源电压高即可.
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